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當前位置：九域半導體科技（蘇州）有限公司>>遷移和少子>>霍爾遷移率測試儀>> 非接觸霍爾遷移率
| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地蘇州市
更新時間：2025-02-18 11:50:53瀏覽次數(shù)：403次
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| 價格區(qū)間 | 面議 | 應用領域 | 電子/電池,電氣 |
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?霍爾遷移率（Hall mobility）是指霍爾系數(shù)RH與電導率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱，因此特別稱為霍爾遷移率，表示為μH =│RH│σ?。?12
霍爾遷移率是霍爾系數(shù)RH與電導率σ的乘積。在簡單情況下，霍爾遷移率μH等于載流子的電導遷移率μ，但在考慮速度分布的情況下，兩者可能不相等。只有在不考慮速度分布的情況下，霍爾遷移率才等于電導遷移率。
霍爾遷移率在電子材料中是一個重要指標，特別是在GaN基HEMT結構材料中。高電子遷移率可以提升器件的工作速度和效率，減少膝點電壓，從而使器件在較高頻率下工作，具有更高的效率。
在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間
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