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非接觸式半絕緣方阻測量技術(shù)可以廣泛應用于各種領(lǐng)域,比如材料表面導電性測試、薄膜導電性測量、電路板測試等。它具有測量快速、精度高、不損傷被測物體等優(yōu)點。

半絕緣電阻率通常介于1-1000歐姆·厘米之間，是描述半絕緣材料導電性能的關(guān)鍵參數(shù)。這種材料在電子工業(yè)中應用廣泛，特別是在制造半導體器件、絕緣層和光電...

玻璃領(lǐng)域 半導體玻璃的電阻率及某些物理化學性質(zhì)在光、電、熱等作用下可發(fā)生顯著改變，從而賦予其的性能。半導體玻璃已廣泛應用于光電倍增器、存儲器件、電子開關(guān)等領(lǐng)域。

晶錠與晶片在半導體行業(yè)中扮演著不同的角色，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在形態(tài)、制備方式及應用領(lǐng)域上。首先，晶錠，或稱為單晶硅棒，是一種長條狀的半導體材料，通常采用特定...

隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的提升已成為行業(yè)關(guān)注的焦點。在光伏電池片的生產(chǎn)中，方阻檢測是確保電池片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。傳統(tǒng)的方阻檢測方法大多...

主要利用結(jié)光電壓技術(shù)非接觸測試具有P/N或N/P結(jié)構(gòu)的樣品的方阻(發(fā)射極薄層方阻），本儀器為非接觸，非損傷測試，具有測試速度快，重復性佳，測試敏感性高，可以直接...

在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關(guān)鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間詳情介紹?我公...

在霍爾效應傳感器中，自由電子的移動能力通過遷移率來量化，這是衡量電子在材料中移動難易程度的關(guān)鍵指標。遷移率典型范圍一般在5至50平方厘米/伏秒之間

即少數(shù)載流子壽命。光生電子和空穴從一開始在半導體中產(chǎn)生直到消失的時間稱為壽命。載流子壽命就是指非平衡載流子的壽命。而非平衡載流子一般也就是非平衡少數(shù)載流子（因為...

外延電阻率方阻測試儀：外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中，硅片最底層是P型襯底硅（有的加點埋層）；然后在襯底上生長一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延...

襯底電阻率方阻測試儀：襯底，或稱基片（substrate），是指在半導體器件制造過程中用來支持其他材料或結(jié)構(gòu)的底層材料。襯底的物理性質(zhì)包括其晶體結(jié)構(gòu)、機械強度、...

玻璃方阻測試儀應用ITO導電玻璃的時候，往往會提到一個重要的參數(shù)，這個參數(shù)就是：方阻，也稱方塊電阻。同時，我們也可以將其理解為ITO的表面電阻率。

金屬薄膜方阻測試儀：金屬薄膜方阻，方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻...

氧化鎵電阻率方阻測試儀：Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用...

氮化鎵電阻率方阻測試儀：氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極...

碳化硅電阻率方阻測試儀：1、電阻率ρ不僅和導體的材料有關(guān)，還和導體的溫度有關(guān)。在溫度變化不大的范圍內(nèi)：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化，即ρ=ρ0（1+at...

晶圓電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，...

硅片電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，...

非接觸式單點薄層電阻測量系統(tǒng)。該裝置包含一個渦流傳感器組，感應弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應電流產(chǎn)生與測量對象的片電阻相關(guān)的電磁...

表面光電壓法（Surface Photovoltage Method，簡稱SPV法）是通過測量由于光照在半導體材料表面產(chǎn)生的表面電壓來獲得少數(shù)載流子擴散長度的方...