2D Semiconductors:探索微觀世界的力量
2D Semiconductors是二維半導(dǎo)體材料生產(chǎn)商,專注于單層或多層二維材料(如過渡金屬硫化物TMDCs、黑磷、石墨烯等)的研發(fā)、生產(chǎn)與商業(yè)化應(yīng)用??偛课挥诳萍紕?chuàng)新中心,公司在全球擁有數(shù)十項(xiàng)核心技術(shù),并與麻省理工學(xué)院、清華大學(xué)等頂尖科研機(jī)構(gòu)建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作。通過規(guī)模化生產(chǎn)與定制化服務(wù),我們致力于推動(dòng)電子器件向更輕薄、高效、低功耗的方向發(fā)展,助力碳中和目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。
核心優(yōu)勢(shì)
1.技術(shù):液相剝離技術(shù)實(shí)現(xiàn)99.9%純度單層薄膜量產(chǎn),層數(shù)控制精度達(dá)±1?;
2.規(guī)?;a(chǎn)能力:月產(chǎn)能突破萬平方米,覆蓋從研發(fā)樣品到工業(yè)級(jí)批量的全鏈條需求;
3.材料多樣性:提供20余種二維半導(dǎo)體材料庫,適配光電器件、傳感器、柔性電子等多元場(chǎng)景;
4.質(zhì)量管控體系:通過ISO 9001/14001雙認(rèn)證,材料性能通過IMEC、AIST等國(guó)際機(jī)構(gòu)驗(yàn)證;
5.可持續(xù)發(fā)展:采用無污染制備工藝,碳排放較傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料降低80%。
主要產(chǎn)品、技術(shù)介紹:
1.2'' wafer CVD Monolayers or Few-layers (Select material)
2英寸c向切割藍(lán)寶石襯底上的全覆蓋單層MoS?、MoSe?、WS?、WSe?(少層樣品可定制)。所有CVD生長(zhǎng)的過渡金屬硫族化合物(TMDs)均表現(xiàn)出高發(fā)光特性,拉曼光譜研究進(jìn)一步證實(shí)了單層厚度。
采用化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)合成這些單層材料,在半導(dǎo)體級(jí)潔凈室中使用6N級(jí)(99.9999%)高純度氣體和前驅(qū)體,制備出結(jié)晶度高、晶粒尺寸達(dá)1-50微米的大面積樣品。與常規(guī)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝不同(后者通常存在大范圍缺陷且晶粒尺寸僅10納米至500納米),本工藝生長(zhǎng)的樣品始終保持高結(jié)晶度、高發(fā)光性,且無碳污染層殘留。
2.As2S3 Crystal
硫化砷(As?S?)具有2:3化學(xué)計(jì)量比。經(jīng)過3年累計(jì)250次生長(zhǎng)試驗(yàn)后,實(shí)現(xiàn)了化學(xué)計(jì)量比、大晶疇尺寸(十萬分之一的晶胞缺陷密度)以及超高純度(99.9998%)。塊體形態(tài)下,砷硫化物(As?S?)是直接帶隙半導(dǎo)體,帶隙約2.5 eV。與二硫化鉬類似,其具有層狀(片層)結(jié)構(gòu),層間耦合較弱,可實(shí)現(xiàn)單層剝離。單層厚度約為0.8 nm,理論預(yù)言的單層As?S?仍待實(shí)驗(yàn)與理論突破。本產(chǎn)品晶體尺寸可達(dá)約8毫米,展現(xiàn)出優(yōu)異的光致發(fā)光特性。采用先進(jìn)生長(zhǎng)技術(shù)培育8周,晶體結(jié)晶度優(yōu)異,拉曼光譜顯示特征峰半高寬小于6 cm?1。As?S?晶體易于機(jī)械剝離,是二維材料研究的理想選擇。
3.2D Heterojunctions
已開發(fā)出可擴(kuò)展的方法,將二維CVD生長(zhǎng)片層背對(duì)背轉(zhuǎn)移以構(gòu)建二維垂直異質(zhì)結(jié)。盡管二維半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)采用無化學(xué)轉(zhuǎn)移工藝,但預(yù)計(jì)在轉(zhuǎn)移過程中仍可能因應(yīng)變、基板和缺陷等因素導(dǎo)致二維層物理性質(zhì)發(fā)生變化。由于生產(chǎn)流程具有高度定制化特性,所有轉(zhuǎn)移類CVD產(chǎn)品一經(jīng)售出概不退款。
該產(chǎn)品展示了我們?cè)诙喾N基板和異質(zhì)結(jié)排布方面的技術(shù)能力。定價(jià)主要取決于基板類型、CVD單層材料以及與您的應(yīng)用場(chǎng)景和樣品規(guī)格相關(guān)的其他技術(shù)挑戰(zhàn)。我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)致力于以經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的方式為您打造定制化CVD產(chǎn)品。
目標(biāo)客戶群體
高校與科研院所:提供高純度基礎(chǔ)材料支持基礎(chǔ)研究;
半導(dǎo)體晶圓廠:兼容主流CMOS工藝的二維材料代工服務(wù);
新能源企業(yè):鈣鈦礦太陽能電池界面修飾材料定制;
消費(fèi)電子品牌:折疊屏手機(jī)鉸鏈鉸支撐材料及柔性電路基板。
常見問題與解答
Q1:二維半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)硅基材料相比有何優(yōu)勢(shì)?
A:二維材料具備原子級(jí)厚度、超高載流子遷移率和機(jī)械柔韌性,可突破摩爾定律極限,適用于更高集成度的柔性/異構(gòu)芯片設(shè)計(jì)。
Q2:材料穩(wěn)定性如何保障?
A:通過表面鈍化處理與封裝技術(shù),產(chǎn)品在空氣環(huán)境中可穩(wěn)定保存12個(gè)月以上,特殊型號(hào)可達(dá)24個(gè)月。
Q3:是否支持小批量定制化生產(chǎn)?
A:是的,最小起訂量為1cm×1cm標(biāo)準(zhǔn)尺寸,交貨周期為4-6周。
Q4:是否有成功商業(yè)化案例?
A:已與OLED面板廠商合作開發(fā)透明導(dǎo)電薄膜,良率達(dá)95%以上。
Q5:環(huán)保合規(guī)性如何?
A:生產(chǎn)過程符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),廢水回收利用率達(dá)98%,獲LEED鉑金級(jí)綠色工廠認(rèn)證。
熱銷產(chǎn)品
貨號(hào) | 品名 | 規(guī)格 | 品牌 |
BLK-BA | Black Arsenic | ea | 2dsemiconductors |
BLK-BSCCO-2223 | BSCCO Crystal | ea | 2dsemiconductors |
BLK-Cr2Te3 | Cr2Te3 Crystal | ea | 2dsemiconductors |
BLK-CrTe2 | CrTe2 Crystal | ea | 2dsemiconductors |
BLK-Fe3GaTe2 | Fe3GaTe2 Crystal | ea | 2dsemiconductors |
BLK-Fe4GeTe2 | Fe4GeTe2 Crystal | ea | 2dsemiconductors |
BLK-GaPS4 | GaPS4 Crystal | ea | 2dsemiconductors |
BLK-hBN-HPA | Hexagonal Boron Nitride (h-BN) | ea | 2dsemiconductors |
BLK-HfS2-FLX | HfS2 Crystal Flux zone growth | ea | 2dsemiconductors |
BLK-MoS2-SYN-FLX | MoS2 - Synthetic Crystal | ea | 2dsemiconductors |
BLK-NbOCl2 | NbOCl2 Crystal | ea | 2dsemiconductors |
BLK-PTAS | PTAS (solid) | ea | 2dsemiconductors |
BLK-Ta3FeS6 | Ta3FeS6 Crystal | ea | 2dsemiconductors |
BLK-TiS2 | TiS2 Crystal | ea | 2dsemiconductors |
BLK-WS2 | Tungsten Disulfide (WS2) | ea | 2dsemiconductors |
BLK-WSe2-P | WSe2 Crystal | p-Type | 2dsemiconductors |
BLK-YBCO | YBCO Crystal,Up to 1 cm size | ea | 2dsemiconductors |
BLK-ZRS2 | Zirconium Disulfide (ZrS2) | ea | 2dsemiconductors |
BLK-ZrSe2 | ZrSe2 - Zirconium Diselenide Crystal | ea | 2dsemiconductors |
BLK-ZrTe2 | ZrTe2 Crystal | ea | 2dsemiconductors |
CVD-MoS2-ML-S | Full Area Coverage Monolayer MoS2 on Si02/Si | ea | 2dsemiconductors |
CVD-MoS2-ML-SP | MoS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire | ea | 2dsemiconductors |
CVD-MoSe2-ML-SP | MoSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire | ea | 2dsemiconductors |
CVD-SnSe2-ML-SP | SnSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire | ea | 2dsemiconductors |
CVD-WS2-ML-SiO2Si | WS2 on SiO2/Si | ea | 2dsemiconductors |
CVD-WS2-ML-SP | WS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire | ea | 2dsemiconductors |
CVD-WSe2-ML-SP | WSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire | ea | 2dsemiconductors |
MBE-MoS2 | MoS2 - MBE on c-cut Sapphire | ea | 2dsemiconductors |
MBE-MoSe2 | MoSe2 - MBE on c-cut Sapphire | ea | 2dsemiconductors |
SOL-PTAS | PTAS (liquid) | ea | 2dsemiconductors |
相關(guān)產(chǎn)品
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