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日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)設(shè)備化學(xué)氣相沉積設(shè)備
日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)設(shè)備化學(xué)氣相沉積設(shè)備
日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)設(shè)備化學(xué)氣相沉積設(shè)備
單片PE-CVD設(shè)備CME-200E/400
單片式PE-CVD設(shè)備CME-200E/400是適合批量生產(chǎn)的PE-CVD設(shè)備,適合形成硅基絕緣膜、阻擋膜等。
特征
27.12MHz高密度等離子工藝
SiH 4型:SiO 2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS 型:可提供 SiO 2薄膜
可使用NF 3 +Ar 等離子體清潔腔室
可配備用于有機(jī)EL低溫成膜的加熱器
通過托盤傳送支持最大尺寸為□200mm的電路板(CME-200E)(支持CME-400:300×400)
目的
功率器件
LED、LD、高速器件
有機(jī)EL
太陽能電池
微機(jī)電系統(tǒng)
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