目錄:筱曉（上海）光子技術有限公司>>半導體連續(xù)激光器>>VCSEL激光器>> V00145-Group1795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±
| 產地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 電子/電池,電氣,綜合 | 組成要素 | 半導體激光器產品及設備 |
795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±10°C)
垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡稱VCSEL,是一種半導體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結構由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成，在P型DBR外表面制作金屬接觸層，形成歐姆接觸，并在P型DBR上制作一個圓形出口，輸出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20
包裝: 裸片
芯片工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器
激光波長: 795nm
輻射剖面: 單模
ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)
原子鐘
磁力計
795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±10°C)
公司簡介
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