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原廠修復(fù)-配件西門子直流調(diào)速裝置晶閘管可控硅壞
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貨物所在地: 上海上海市
產(chǎn)地: 德國(guó)
更新時(shí)間: 2025-04-09 10:30:04
期: 2025年4月9日--2025年10月8日
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配件西門子直流調(diào)速裝置晶閘管可控硅壞,德國(guó)直流調(diào)速裝置,控制器,驅(qū)動(dòng)器,傳動(dòng)器,變頻器故障修復(fù)解決,另外公司配有各型號(hào)IGBT模塊,主板,電源板,觸發(fā)板及原裝整機(jī),維修采用*配件,一般性故障當(dāng)天修復(fù),可短時(shí)間內(nèi)提供現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)方案。

詳細(xì)介紹

配件西門子直流調(diào)速裝置晶閘管可控硅壞;公司是國(guó)內(nèi)較早從事工控設(shè)備維修單位,是德國(guó)SIEMENS西門子專業(yè)維修單位,目前擁有專業(yè)的維修工程師和*維修設(shè)備,具有豐富的維修技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)。我們一直專注維修技術(shù)的研究,保證不二次損壞機(jī)器,一般性故障均可當(dāng)天修復(fù),不收取任何檢測(cè)費(fèi)用,維修西門子就找專修西門子公司!

配件西門子直流調(diào)速裝置晶閘管可控硅壞;損壞的原因查找
(1)器件本身質(zhì)量不好。
(2)外部負(fù)載有嚴(yán)重過(guò)電流、不平衡,電動(dòng)機(jī)某相繞阻對(duì)地短路,有一相繞阻內(nèi)部短路,負(fù)載機(jī)械卡住,相間擊穿,輸出電線有短路或?qū)Φ囟搪贰?br />(3)負(fù)載上接了電容,或因布線不當(dāng)對(duì)地電容太大,使功率管有沖擊電流。
(4)用戶電網(wǎng)電壓太高,或有較強(qiáng)的瞬間過(guò)電壓,造成過(guò)電壓損壞。
(5)機(jī)內(nèi)功率開(kāi)關(guān)管的過(guò)電壓吸收電路有損壞,造成不能有效吸收過(guò)電壓而使IGBT損壞,如圖1所示。
(6)濾波電容因日久老化,容量減少或內(nèi)部電感變大,對(duì)母線的過(guò)壓吸收能力下降,造成母線上過(guò)電壓太高而損壞IGBT。正常運(yùn)行時(shí)母線上的過(guò)電壓是逆變開(kāi)關(guān)器件脈沖關(guān)斷時(shí),母線回路的電感儲(chǔ)能轉(zhuǎn)變而來(lái)的。
(7)IGBT或IPM功率器件的前級(jí)光電隔離器件因擊穿導(dǎo)致功率器件也擊穿,或因在印制板隔離器件部位有塵埃、潮濕造成打火擊穿,導(dǎo)致IGBT、IPM損壞。
(8)不適當(dāng)?shù)牟僮?,或產(chǎn)品設(shè)計(jì)軟件中有缺陷,在干擾和開(kāi)機(jī)、關(guān)機(jī)等不穩(wěn)定情況下引起上下兩功率開(kāi)關(guān)器件瞬間同時(shí)導(dǎo)通。
(9)雷擊、房屋漏水入侵,異物進(jìn)入、檢查人員誤碰等意外。
(10)經(jīng)維修更換了濾波電容器,因該電容質(zhì)量不好,或接到電容的線比原來(lái)長(zhǎng)了,使電感量增加,造成母線過(guò)電壓幅度明顯升高。
(11)前級(jí)整流橋損壞,由于主電源前級(jí)進(jìn)入了交流電,造成IGBT、IPM損壞。
(12)修理更換功率模塊,因沒(méi)有靜電防護(hù)措施,在焊接操作時(shí)損壞了IGBT?;蛞蛐蘩碇猩?、緊固、絕緣等處理不好,導(dǎo)致短時(shí)使用而損壞。
(13)并聯(lián)使用IGBT,在更換時(shí)沒(méi)有考慮型號(hào)、批號(hào)的一致性,導(dǎo)致各并聯(lián)元件電流不均而損壞。
(14)變頻器內(nèi)部保護(hù)電路(過(guò)電壓、過(guò)電流保護(hù))的某元件損壞,失去保護(hù)功能。
(15)變頻器內(nèi)部某組電源,特別是IGBT驅(qū)動(dòng)級(jí)+、-電源損壞,改變了輸出值或兩組電源間絕緣被擊穿。
第三步:更換
只有查到損壞的根本原因,并首先消除再次損壞的可能,才能更換逆變模塊,否則換上去的新模塊會(huì)再損壞。
(1)IGBT 同絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管一樣要避免靜電損壞。在裝配焊接中防止損壞的根本措施是,把要修理的機(jī)器、IGBT 模塊、電烙鐵、人、操作工作臺(tái)墊板等全部用導(dǎo)線連接起來(lái),使得在同一電場(chǎng)電位下進(jìn)行操作,全部連接的公共點(diǎn)如能接地就更好。特別是電烙鐵頭上不能帶有市電高電位,示波器電源要用隔離良好的變壓器隔離。IGBT模塊在未使用前要保持控制極G 與發(fā)射極E 接通,不得隨意去掉該器件出廠前的防靜電保護(hù)G-E 連通措施。

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