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可變角度光譜橢偏儀（HO-SE-01）
閱讀：103 發(fā)布時(shí)間：2024-11-27光譜橢偏儀廣泛用于薄膜分析和測(cè)量。Holmarc 的光譜橢偏儀采用旋轉(zhuǎn)分析儀橢偏技術(shù)來表征薄膜樣品。它使用高速 CCD 陣列檢測(cè)來收集整個(gè)光譜。它可以測(cè)量從納米厚度到幾十微米
的薄膜，以及從透明材料到吸收材料的光學(xué)特性。它能精確測(cè)量折射率、薄膜厚度和消光系數(shù)等光學(xué)常數(shù)。
規(guī)格
光譜范圍：450 - 800 納米
橢偏儀配置 ： RAE
探測(cè)器：3648 像素 CCD 線性傳感器
光譜分辨率：1 納米
入射角：50 - 75 度（分辨率 0.1 度，自動(dòng)操作）
樣品聚焦：自動(dòng)
樣品厚度：0.3 毫米 - 8 毫米
厚度測(cè)量范圍：20 納米 - 10 微米
薄膜厚度分辨率：0.01 納米
測(cè)量 R.I 的分辨率：0.001
樣品校準(zhǔn) ： 手動(dòng)傾斜
樣品測(cè)量 自動(dòng)
厚度分析：先進(jìn)的數(shù)學(xué)擬合算法
軟件功能
自動(dòng)操作
自動(dòng)樣品聚焦
用戶可擴(kuò)展材料庫(kù)
數(shù)據(jù)可保存為 Excel 格式
數(shù)學(xué)擬合算法
多層厚度測(cè)量
推導(dǎo)厚度和光學(xué)常數(shù)
橢偏原理
橢偏儀是一種高靈敏度的薄膜分析技術(shù)。其原理依賴于光從表面反射時(shí)偏振態(tài)的變化。
為了描述與電磁波電場(chǎng)方向相對(duì)應(yīng)的偏振態(tài)，選擇了兩個(gè)方向作為參考，即 p 方向（平行）和 s 方向（垂直）。反射光在 p 方向和 s 方向的相位變化不同。橢偏儀可以測(cè)量這種偏振狀態(tài)；
p = rp / rs = tan Ψe iΔ
其中，Ψ 和 Δ 分別是 p 和 s 分量的振幅比和相移。由于橢偏儀測(cè)量的是兩個(gè)值的比值，因此非常精確且可重復(fù)。
特點(diǎn)
非破壞性和非接觸式技術(shù)
分析單層和多層樣品
精確測(cè)量超薄薄膜
用于測(cè)量、建模和自動(dòng)操作的軟件
統(tǒng)一的 (Ψ, Δ) 測(cè)量靈敏度