日本napson非接觸式渦流法薄層電阻測(cè)量?jī)xNC-10/NC-20
使用個(gè)人計(jì)算機(jī)節(jié)省空間，易于操作和數(shù)據(jù)處理
由于它是一種非接觸式渦流方法，因此可以進(jìn)行測(cè)量而不會(huì)損壞它。
由于探頭是可拆卸和可更換的，因此可以方便地用每個(gè)量程的探頭進(jìn)行更換。
（*對(duì)第二個(gè)和后續(xù)電阻探頭的可選支持）
中心1點(diǎn)測(cè)量
厚度/溫度補(bǔ)償功能（硅晶片）

日本napson非接觸式渦流法薄層電阻測(cè)量?jī)xNC-10/NC-20

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 使用個(gè)人計(jì)算機(jī)節(jié)省空間，易于操作和數(shù)據(jù)處理
• 由于它是一種非接觸式渦流方法，因此可以進(jìn)行測(cè)量而不會(huì)損壞它。
• 由于探頭是可拆卸和可更換的，因此可以方便地用每個(gè)量程的探頭進(jìn)行更換。
• （*對(duì)第二個(gè)和后續(xù)電阻探頭的可選支持）
• 中心1點(diǎn)測(cè)量
• 厚度/溫度補(bǔ)償功能（硅晶片）

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)材料（硅，多晶硅，SiC等）
 新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
 硅基外延，離子與
 半導(dǎo)體相關(guān)的進(jìn)樣樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

3-8英寸?156 x 156毫米
（可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米）

日本napson非接觸式渦流法薄層電阻測(cè)量?jī)xNC-10/NC-20

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω? cm
（*所有探頭類型的總量程/厚度500um）
[ 抗剪強(qiáng)度] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總量程）

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）