碳化硅器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試臺(tái)

功能及主要參數(shù)：
　　適用碳化硅二極管、IGBT模塊MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
　　主要技術(shù)參數(shù)：
　　IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試條件
　　Ic：50A～1000A     Vce：200V～2000V
　　Vgs：-10V～＋20V  Rg：1R～100R可調(diào)(可選擇4檔及外接)
　　負(fù)　　載：感性負(fù)載阻性負(fù)載可切換
　　電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH
　　電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R
　　IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試參數(shù)
　　開(kāi)通延遲td(on): 20nS -10uS     
　　上升時(shí)間tr:    20nS -10uS
　　開(kāi)通能量Eon：  0.1-1000mJ                
　　關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)：20 nS -10uS  
　　下降時(shí)間 tf： 20nS -10uS                   
　　關(guān)斷能量Eoff：0.1-1000mJ
　　二極管反向恢復(fù)特性測(cè)試
　　FRD測(cè)試條件：正向電流IF：50A～1000A；反向電壓 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us ；負(fù)載：感性負(fù)載可選
　　電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH
　　FRD測(cè)試參數(shù)
　　反向恢復(fù)時(shí)間trr：20nS -2uS
　　反向恢復(fù)電荷Qc：10nC~10uC；
　　反向恢復(fù)電流Irm：50A~1000A
　　反向恢復(fù)損耗Erec：0.1mJ～1000mJ

碳化硅器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試臺(tái)

武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業(yè)研發(fā)，以力學(xué)試驗(yàn)機(jī)儀器為主，同時(shí)銷售各種、中低端分析儀器?，F(xiàn)有員工60多人，公司成功開(kāi)發(fā)了PCI放大采集卡和中文版試驗(yàn)軟件，并采用全數(shù)字化，操作簡(jiǎn)捷，*符合GB、ISO、JIS、ASTM、DIN等標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求，公司亦通過(guò)了ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證和國(guó)家計(jì)量體系認(rèn)證，榮獲了“武漢市第九界消費(fèi)者滿意單位"的稱號(hào)。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子、高校、政府研究機(jī)構(gòu)、環(huán)保機(jī)構(gòu)、防軍工、航天、石油化工、紡織制造、第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)、家級(jí)別研究院、新能源、集成電路、芯片、封裝測(cè)試、半導(dǎo)體行業(yè)、顯示器領(lǐng)域、光電材料、鋰電池、機(jī)械生產(chǎn)等領(lǐng)域。并與武漢理工大學(xué)、華中科技大學(xué)等建立了長(zhǎng)期合作，每年投入大量研究經(jīng)費(fèi)，招攬各方秀的技術(shù)人才加盟突破國(guó)內(nèi)技術(shù)壁壘，不斷攻克新的技術(shù)難題，另外公司還積極拓展海外業(yè)務(wù)，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷越南，印度，埃及等國(guó)家和地區(qū)。