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應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),能源,制藥/生物制藥,綜合

產(chǎn)品介紹

CS2350M雙恒電位儀內(nèi)置兩套恒電位/恒電流儀，每套恒電位儀各有一套輔助、工作和參比電極輸出，并由CS Studio測(cè)試軟件來協(xié)調(diào)輸出電位/電流，CS2350M是真正意義上的雙通道電化學(xué)工作站。
具體應(yīng)用于：
1. 雙通道獨(dú)立使用，可同時(shí)進(jìn)行兩組常規(guī)電化學(xué)測(cè)試；
2. 雙通道組合使用，可用于電化學(xué)分析四電極工作體系，尤其在氧還原（ORR）中間產(chǎn)物收集、金屬氫擴(kuò)散測(cè)試有廣泛應(yīng)用。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

CS2350M雙恒電位儀不僅具有CS單通道系列高精度、寬量程以及強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析處理功能，而且在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上創(chuàng)新突破。 CS2350M雙通道硬件設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)兩組實(shí)驗(yàn)體系的測(cè)試要求，同時(shí)，軟件的組合編程功能大大提高了實(shí)驗(yàn)的效率。

典型案例

1. 雙通道獨(dú)立測(cè)試
使用專用的電池測(cè)試夾，配合軟件的組合編程功能，給電池能源領(lǐng)域的用戶帶來更高效、更智能的測(cè)試體驗(yàn)。

圖1.雙通道獨(dú)立測(cè)量參數(shù)設(shè)置界面

2.配合旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極（RRDE）用于研究氧化還原體系：
在測(cè)量圓盤電極極化曲線的同時(shí)，將環(huán)電壓設(shè)置為恒電位，控制圓環(huán)電極在固定的極化電勢(shì)，用以檢測(cè)圓盤電極上產(chǎn)生的反應(yīng)中間物，該方法也成為檢測(cè)反應(yīng)中間物和研究電極反應(yīng)機(jī)理的典型流體動(dòng)力學(xué)方法。氧還原反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)和相應(yīng)的雙氧水（中間產(chǎn)物）產(chǎn)率可分別通過公式測(cè)得：

其中知I_disk和I_ring分別為測(cè)得的盤電流、環(huán)電流，電極收集效率N由盤環(huán)電極參數(shù)決定（常數(shù)）。將測(cè)試結(jié)果代入以上公式即求得實(shí)際反應(yīng)的電子轉(zhuǎn)移數(shù)n 和H₂O₂（%）所占比例。

CS2350M雙恒電位儀

圖2.氧還原（ORR）中間產(chǎn)物檢測(cè)

3. 金屬中氫擴(kuò)散測(cè)試：
兩個(gè)恒電位裝置配合Devnathan-Stachurski 雙電解池，通過左側(cè)電解池的陰極充氫和右側(cè)電解的氫原子陽極氧化電流測(cè)量，進(jìn)而計(jì)算氫原子在金屬中擴(kuò)散系數(shù)和氫通量。

CS2350M雙恒電位儀

圖3.金屬中氫擴(kuò)散控制

技術(shù)指標(biāo)

硬件參數(shù)指標(biāo)

雙恒電位儀：單恒電位電位控制范圍：±10V，雙恒電位儀電位控制范圍:±10V	恒電流控制范圍：±1A（可擴(kuò)展至20A/40A/100A）
電位控制精度：0.1%	電流控制精度：0.1%
電位靈敏度：1μV	電流靈敏度：1pA（可選100fA）
電位上升時(shí)間：1μs	電流量程：2A～2nA 10檔
參比電極輸入阻抗：10¹³Ω\|\|8pF	最大輸出電流：±1A（可擴(kuò)展至20A/40A/100A）
槽壓輸出：±21V	電流掃描增量：1mA@1A/ms
CV和LSV掃描速度：0.001mV～10,000V/s	電位掃描電位增量：0.076mV @1V/ms
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65,000s	DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
SWV頻率：0.001～100KHz	CV的最小電位增量：0.020mV
AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz	電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μs	低通濾波器：8段可編程
通訊接口：網(wǎng)口	儀器凈重：7.5Kg
外形尺寸（mm）：365(W)X338(D)X140(H)

電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo)

信號(hào)發(fā)生器
頻率響應(yīng)：10μHz～1MHz	交流信號(hào)幅值：0mV～2500mV
頻率精確度：0.005%	信號(hào)分辨率：0.1mV RMS
DDS輸出阻抗：50Ω	直流偏壓：-10V～+10V
正弦波失真率：<1%	波形：正弦波，三角波，方波
掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降
信號(hào)分析器
最大積分時(shí)間：10⁶個(gè)循環(huán)或者10⁵s	測(cè)量時(shí)間延遲：0～10⁵s
最小積分時(shí)間：10ms或者一個(gè)循環(huán)的最長(zhǎng)時(shí)間
直流偏置補(bǔ)償
電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V	電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A
帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào)

儀器配置

1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2）CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3）模擬電解池1個(gè)
4）電源線、網(wǎng)線各1條
5）電極電纜線2條
6）電腦（選配*）

功能方法

穩(wěn)態(tài)極化
開路電位測(cè)量（OCP）、恒電位極化（i-t曲線）、恒電流極化、動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線）、動(dòng)電流掃描（DGP）
暫態(tài)極化
任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍（ISTEP）
計(jì)時(shí)分析
計(jì)時(shí)電位法（CP）、計(jì)時(shí)電流法（CA）、計(jì)時(shí)電量法（CC）
伏安分析
線性掃描伏安法（LSV）、循環(huán)伏安法（CV）、階梯循環(huán)伏安法（SCV）、方波伏安法（SWV）、差分脈沖伏安法（DPV）、常規(guī)脈沖伏安法（NPV）、常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）、差分脈沖電流檢測(cè)法（DPA）、雙差分脈沖電流檢測(cè)法（DDPA）、三脈沖電流檢測(cè)法（TPA）、積分脈沖電流檢測(cè)法（IPAD）、交流伏安法（ACV）、二次諧波交流伏安（SHACV）、傅立葉變換交流伏安（FTACV）
溶出伏安
恒電位溶出伏安、線性溶出伏安、階梯溶出伏安、方波溶出伏安、差分脈沖溶出伏安、常規(guī)脈沖溶出伏安、常規(guī)差分脈沖溶出伏安、交流溶出伏安
交流阻抗
頻率掃描-電位控制模式（EIS-V）、頻率掃描-電流控制模式（EIS-I）、電位掃描（IMPE,Mott-Schotty) 、時(shí)間掃描-電位控制模式、時(shí)間掃描-電流控制模式
腐蝕測(cè)量
循環(huán)極化曲線（CPP）、線性極化曲線（LPR）、動(dòng)電位再活化法（EPR)、電化學(xué)噪聲（EN）、電偶腐蝕測(cè)量（ZRA）
電池測(cè)試
電池充放電測(cè)試、恒電流充放電（GCD）、恒電位充放電（PCD）、恒電位間歇滴定技術(shù)（PITT）、恒電流間歇滴定技術(shù)（GITT）
雙恒測(cè)量
氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）、盤環(huán)電極測(cè)試（RRDE）、法拉第效率測(cè)試（FET）
擴(kuò)展測(cè)量
盤環(huán)電極測(cè)試、數(shù)字記錄儀、波形發(fā)生器、圓盤電機(jī)控制、其它外設(shè)擴(kuò)展端口（定制）