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SEMIKRON備品備件SKKT 570/16E 

SEMIKRON備品備件SKKT 570/16E 

ELECTRONICONE62.S23-204M30

SOLARTRONDP 5 P  971135-3

MICRO-EPSILONDS05(15)轉(zhuǎn)速傳感器

PROTEUS INDUSTRIES INC9WSPKV50G-1-003

ROBERT STAHL SCHMIDTBD 4R9S/16

MICRO-EPSILONWDS-2500-Z100-CA-P位置傳感器

SOLARTRON911173-3 AC PSIM

SEMIKRONSKKT 570/16E可控硅

SOLARTRON911174-3 RS232IMMK2

EBRO ARMATURENE110

HYDROTECHNIK33VH-73-35.V012   替代

REXROTH4WE6J62/EG24N9K4

SOLARTRONAX 1.0 SH T

REXROTHDBDS6K1X 315

BK MIKROTK-BKM-8A-21.015393刀檢電機(jī)

EUROTHERMEPOWER/3PH-500A/600V/230V/XXX/XXX/XXX/OO/XX/XX/XX/XX/XXX/XX/XX/XXX/XXX/XXX/QS/FRA/500A/440V/3P/3D/XX

MOTRONAFU210信號(hào)轉(zhuǎn)換器

CARROLL & MEYNELLMVT9.9K/12A-3E

PRELECTRONICS4114

ROTORUD 1205/1434740-013-7

PRELECTRONICS4501

REO_RROVIBID 615830

PROCENTEC101-800110

EBRO ARMATURENE65

MILTON ROYGA120S6N3V+MOTOR LS56M/T

GAI-TRONICS701-307

GAI-TRONICS13302-002

GAI-TRONICS12504-004

ZENTRO-ELEKTRTK8899-2BE      98228899-102

ROEHM42175

ROEMHELDY1895-203-LM-90

KROHNEK800/R

KROHNEKQ-1407-ZY1063 0-14PH,0-70℃  4-20MA

ING.FRANZ KROMEKE21025

KROMSCHRODERIFW 15-T 84359010不帶變壓器

ING.FRANZ KROMEKE210-25

FIBRO2961.70.050.200導(dǎo)板

KROMSCHRODERTC 410-10T

ROTARY ENCODEROVW2-2048-2MD

PULSOTRONIC622330        KJ2-M12MB65-DPS-V2 替代

FIBROEM.18.0750.9.132.02.0.0.0

HYDROTECHNIK3948-04-01.00

HEITRONICSKT19.43

REXROTHR910985329

POLYTRON8344200

PROTON-ELECTROTEXD161-250-10（只能買10個(gè)）

GAI-TRONICS13314-002

KROMSCHRODERVGBF 50F40-3Z

ROQUET1PLH225-35DE10B

KROMSCHRODERVGBF 80F40-3Z

MICRO-EPSILONTIM160

STARS ELEKTRONIKTVL-1  A230G   04/01

AVS-ROMER617112        EGV-1027/V2-AH9-1/2CG-024

ROLANDS0047000      E20-4P-PR-S

ROSE+KRIEGERFNA5023TA0145

MICRO-EPSILONILD1900

AVS-ROMER613558     EGV-111-A78-1CG-00

ELSTER-INSTROMETRB-TI

MICRO-EPSILONILD1900LL

BK MIKROBKM91PB-21

ELEKTROMOTORENWERK BRIENZKSL250-2

ELETTROTECNTB80CC 710-370-01300

ELTROTECCLS-K-63

ROLANDP42AGS

DROPSA3405413

ROSSIMR V 125 UO2A

ROEMHELD3829-234

POLYTRON5720/8344200/ 8344200

ROEHM898695

ROEHM462405

FRONIUS壹僑-郎娟娟0360054 2021-08-11 05:05:44

EUROTHERM6180 A

CROUZETU83161.8 SP 41910 40\1A\AC125V

PROMINENTS3BAH040830PVTS170R000

EUROTHERMEPOWER/1PH-100A/600V調(diào)功器

STROAMG227-92363 NFF 100

REXROTH3842532009

ROLANDPW42AGS

PROFIMESSPT-01.3.1.1.99.0.80

AROF512LM

PROMINENT142069

ROTECHCR3AAZ0限位開關(guān)

CARANE ENVIRONMENTALDELTA-5SWDP

PR ELECTRONICSTP.TI-SU1-RIW

ROTHENBERGERRP50-S

MICRO-EPSILONTIM160S

PAR-GROUP6507-25ID

PAR-GROUP6507-44ID    15米整數(shù)倍

ROLAND239504

ROHM60906工件夾具

OMRONG6D-F4B DC24V

PROCEMEX530

PROCEMEXP0527

PROCEMEX999

EUROFLUIDEVM103AX3F

STROMAG140-00706  92 NE - 390 FV凸輪開關(guān)

HYDROPADS-302-55

ITRON133-5-72  DN25  PN16/5

ROLANDIE20-30GS

ELTROTECCLS-K-63

ROLANDIS20-30GS

UNITROME16-P LOGIC I/R2 220/220VDC (100278)信號(hào)繼電器

FROMMP32.8150       PA6GF30

FROMMP32.0213       ECI 42.40 18VDC

FROMM477136 V665212

FROMMN51.1127       F-NR.2256516

ROLANDSCI20S-GG

PROMINENTGMXA1602NPT20000UA10300EN

ROLANDI20-2-PN-S

PROFIROLL41412722000支撐滾筒

PROFIROLL41417742000支撐軸

MEGATRONKT701K 500N 2410Z

PROFIROLL41425740200支撐滾筒

POWERTRONIC11PM04100100          P688W

PROTISTORS302236  11 URD 273 TTF 1800  替代  （N300737已停產(chǎn)）

PAR-GROUP6507-25ID

PROMINENTGAMMA_XL       GXLAEU0450PVT20000UA1000EN替代

PAR-GROUP6507-44ID

KROHNEDK800/R/K1

MICRO-EPSILONILD1320-200

MICRO DETECTORSSSC/0P-0E光電開關(guān)

ROEMHELD18951330M90

HYDROTECHNIK3403-53-G3.46壓力感應(yīng)器

ROEMHELD1895433VDH35

PULSOTRONIC622330  KJ2-M12MB65-DPS-V2替代

HYDROTECHNICHTF/2701-30-76.5

ROEMHELD1895333VDH35

JAY ELECTRONIQUE401RSEF41000    RSEF41-0

KROHNEDK800/R/K1

ROSSIWORM GEARMOTOR CAT. A MR V 125 UO2A- 28X250- 32 MOUNTING POSITION B3 WITHOUT MOTOR減速機(jī)

GROSCHOPPWK1153302

SCHROEDERK10

ELERO761906301 ECONOM 1

SOLARTRONWG/10/SJ傳感器

ELECTRONICONE62.R16-333L30電容

ROHM577249+771705

PROFIROLL41412722000支撐滾筒

PROCEMEX530

PROFIROLL41417742000支撐軸

ELERO761850501  ECONOM 01

ROEMHELD1942010

REXROTHR930003503

ELECTRONICONE62.G10-202B20 2F/4000V

ELECTRONICONE62.H15-402B20 4F/4000V

EROGLU406.02.13.100.ERP

EROGLU406.02.13.70.ERP

EROGLU406.02.20.70.ERP

EROGLU406.20.45.IK

PROFIROLL41425740200支撐滾筒

ELECTRONICONE50.N15-304N61電容

ELECTRONICONE50.N15-304N61電容

AUTOROTORT55-09-270

ELECTRONICONE50.N15-304N61電容

ELECTRONICONE50.N15-304N61電容

HYDRO-AIR110 102快換接頭

STROMAG155-00001  0,23_GHE_553_DFV50限位開關(guān)

HYDRO-AIR120 102快換接頭

MICRO-EPSILONDS-1

HYDRO-AIR110 104快換接頭

MICRO-EPSILONDZ-140

HYDRO-AIR120 104快換接頭

HYDRO-AIR110 103 - 39 D 1420/3 G1/2“ – SONDERFARBE GOLD快換接頭

HYDRO-AIR120 103快換接頭

HYDRO-AIRGE-S10/G3/8快換接頭

HYDRO-AIRG1/2 110103快換接頭

OMRONG9SA-501 AC/DC24

HYDROPADS-302-55

OMRONE3Z-D87 BY OMC

SOLARTRON9740005-3 DJ10P

OMRONE3Z-T86 BY OMC

OMRONE2B-M18KN16-M1-B1 OMS

OMRONR88D-KT75F

CROUZET83169406 (CD7, KABEL 0,5M LINKS)  注意數(shù)量

PROTEUS08012BN16  0–10 VDC  4–20 MA

PR ELECTRONICS5335D

STROMAG51-323BM5Z-299G   NO:152567 1:336

STROMAG151-05160     51_6.5_NM1Z_899

OMRONR88D-KT75F-Z

OMRONE2B-M12KS04-M1-B1

OMRONR88D-KT75F

AVTRONALV8L1G6P000S

ARCOTRONICSC878BF35150AA0J  起訂量434個(gè)

SOLARTRONAX/2.5/S

CAPTRONCAT-200-21G5/VA-214

COMATROLCP200-3-B-0-E-C-XXX

PR ELECTRONICSTP.TI-SU1-RIW

AUTOROTORT55-09-270

AUTOROTORT55-09-270    41997

JWFROEHLICH458511

STROMAG151-05095     51_75_BMK_499P

ELECTRONICONE33.D93-501615 220001替代

SEMIKRON備品備件SKKT 570/16E 

SEMIKRON備品備件SKKT 570/16E 

鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。

陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通） [1]。

控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。

主要生產(chǎn)廠家

播報(bào)

編輯

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。

術(shù)語(yǔ)

播報(bào)

編輯

IT(AV)--通態(tài)平均電流

VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流

ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流

VTM--通態(tài)峰值電壓

IGT--門極觸發(fā)電流

VGT--門極觸發(fā)電壓

IH--維持電流

dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率

di/dt--通態(tài)電流臨界上升率

Rthjc--結(jié)殼熱阻

ⅥSO--模塊絕緣電壓

Tjm--額定結(jié)溫

VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

IRRM--反向重復(fù)峰值電流

IF(AV)--正向平均電流

PGM--門極峰值功率

PG----門極平均功率

延伸閱讀

播報(bào)

編輯

1、柵極上的噪聲電平

在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。

應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容，來濾掉高頻噪聲。

2、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率

當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí)，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過允許值時(shí)，就沒有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。

為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。

3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率

當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況最易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。

4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT

在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí)，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。

5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM

在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2]。

鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。

陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通） [1]。

控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。

主要生產(chǎn)廠家

播報(bào)

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主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。

術(shù)語(yǔ)

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IT(AV)--通態(tài)平均電流

VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流

ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流

VTM--通態(tài)峰值電壓

IGT--門極觸發(fā)電流

VGT--門極觸發(fā)電壓

IH--維持電流

dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率

di/dt--通態(tài)電流臨界上升率

Rthjc--結(jié)殼熱阻

ⅥSO--模塊絕緣電壓

Tjm--額定結(jié)溫

VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

IRRM--反向重復(fù)峰值電流

IF(AV)--正向平均電流

PGM--門極峰值功率

PG----門極平均功率

延伸閱讀

播報(bào)

編輯

1、柵極上的噪聲電平

在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。

應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容，來濾掉高頻噪聲。

2、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率

當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí)，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過允許值時(shí)，就沒有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。

為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。

3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率

當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況最易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。

4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT

在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí)，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。

5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM

在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2]。