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上海壹僑國(guó)際貿(mào)易有限公司

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【簡(jiǎn)單介紹】
產(chǎn)地類別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 生物產(chǎn)業(yè)
光電傳感器自1971年以來(lái),Micro Detectors開(kāi)發(fā)生產(chǎn)了一系列應(yīng)用廣泛的工業(yè)傳感器。Micro Detectors的企業(yè)精神是大力推動(dòng)創(chuàng)新。MD 墨迪CT1/CN-1HM30 shielded NC/NPN
【詳細(xì)說(shuō)明】

CQ50/AP-3Acubic Plastico DC 7mm PNP NC cable 2m 90°
AK1/AN-2A86

 

如圖所示,在開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí)為電能的存儲(chǔ)階段,這時(shí)可以把變壓器看成是一個(gè)電感如圖(a)左側(cè)所示。

從圖(a)的左側(cè)初級(jí)電路及圖(b)可知,當(dāng)開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí),初級(jí)繞組的電流Ip為線性增加。磁心內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度從Br增加到工作峰值Bm。

圖中反激式(Buck Boost)轉(zhuǎn)換器及儲(chǔ)能、反激期間的磁化情況

當(dāng)開(kāi)關(guān)管V關(guān)斷時(shí),

 圖

初級(jí)電流降到零。次級(jí)的整流二極管D1導(dǎo)通,在次級(jí)出現(xiàn)感應(yīng)電流。按照功率恒定的原則,次級(jí)繞組的安匝數(shù)與初級(jí)繞組的安匝數(shù)相等。

在反激期間,反激電流逐漸下降到零,等效電路如圖(a)右側(cè)及圖(c)所示。

對(duì)于*能量轉(zhuǎn)換情況,反激時(shí)間總是小于toff時(shí)間。在反激時(shí)間內(nèi),磁心b磁通密度將從Bm下降到剩余磁通密度Bro,次級(jí)電流將以某工速率衰減,此速率由次級(jí)電壓和次級(jí)電感來(lái)決定,因此U's為次級(jí)繞組上的電壓,Ls為折算到次級(jí)的變壓器電感)。


電磁主要影響
編輯


電磁磁場(chǎng)
磁場(chǎng)會(huì)使人體產(chǎn)生嚴(yán)重的危害性病變和思維的延續(xù)變化。如果人類長(zhǎng)期生活在強(qiáng)磁場(chǎng)范圍內(nèi),會(huì)導(dǎo)致內(nèi)分泌紊亂失調(diào),大腦也會(huì)產(chǎn)生不正常的延續(xù)思維,會(huì)誘發(fā)人體的某些潛能和特殊的功能變化,也會(huì)誘發(fā)癌癥。在大都市中,由電網(wǎng)和通訊網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的不同頻段的電磁波輻射,已經(jīng)給人類帶來(lái)了諸多不利因素。

人類社會(huì)正在遭受著多種電磁波輻射災(zāi)害,而這種災(zāi)害是無(wú)法看到的一種潛在的破壞性因素,它將導(dǎo)致人類的腦思維系統(tǒng)產(chǎn)生超越常規(guī)的病態(tài)和不健康的心態(tài)、精神失常、性情暴躁、內(nèi)分泌失調(diào)、煩躁多夢(mèng)、疑神疑鬼、心悸不安。在這種情況下也極易產(chǎn)生不正常的肢體舉動(dòng)。比如在夜間,人類大腦會(huì)產(chǎn)生比較特殊的夢(mèng)境聯(lián)想狀態(tài),像的夢(mèng)遺、的夢(mèng)境、已故親人的托夢(mèng)、兇殺與暴力、發(fā)財(cái)與死亡、穿越時(shí)空等等夢(mèng)中的聯(lián)想。

如圖所示,在開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí)為電能的存儲(chǔ)階段,這時(shí)可以把變壓器看成是一個(gè)電感如圖(a)左側(cè)所示。

從圖(a)的左側(cè)初級(jí)電路及圖(b)可知,當(dāng)開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí),初級(jí)繞組的電流Ip為線性增加。磁心內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度從Br增加到工作峰值Bm。

圖中反激式(Buck Boost)轉(zhuǎn)換器及儲(chǔ)能、反激期間的磁化情況

當(dāng)開(kāi)關(guān)管V關(guān)斷時(shí),

 圖

初級(jí)電流降到零。次級(jí)的整流二極管D1導(dǎo)通,在次級(jí)出現(xiàn)感應(yīng)電流。按照功率恒定的原則,次級(jí)繞組的安匝數(shù)與初級(jí)繞組的安匝數(shù)相等。

在反激期間,反激電流逐漸下降到零,等效電路如圖(a)右側(cè)及圖(c)所示。

對(duì)于*能量轉(zhuǎn)換情況,反激時(shí)間總是小于toff時(shí)間。在反激時(shí)間內(nèi),磁心b磁通密度將從Bm下降到剩余磁通密度Bro,次級(jí)電流將以某工速率衰減,此速率由次級(jí)電壓和次級(jí)電感來(lái)決定,因此U's為次級(jí)繞組上的電壓,Ls為折算到次級(jí)的變壓器電感)。


電磁主要影響
編輯


電磁磁場(chǎng)
磁場(chǎng)會(huì)使人體產(chǎn)生嚴(yán)重的危害性病變和思維的延續(xù)變化。如果人類長(zhǎng)期生活在強(qiáng)磁場(chǎng)范圍內(nèi),會(huì)導(dǎo)致內(nèi)分泌紊亂失調(diào),大腦也會(huì)產(chǎn)生不正常的延續(xù)思維,會(huì)誘發(fā)人體的某些潛能和特殊的功能變化,也會(huì)誘發(fā)癌癥。在大都市中,由電網(wǎng)和通訊網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的不同頻段的電磁波輻射,已經(jīng)給人類帶來(lái)了諸多不利因素。

人類社會(huì)正在遭受著多種電磁波輻射災(zāi)害,而這種災(zāi)害是無(wú)法看到的一種潛在的破壞性因素,它將導(dǎo)致人類的腦思維系統(tǒng)產(chǎn)生超越常規(guī)的病態(tài)和不健康的心態(tài)、精神失常、性情暴躁、內(nèi)分泌失調(diào)、煩躁多夢(mèng)、疑神疑鬼、心悸不安。在這種情況下也極易產(chǎn)生不正常的肢體舉動(dòng)。比如在夜間,人類大腦會(huì)產(chǎn)生比較特殊的夢(mèng)境聯(lián)想狀態(tài),像的夢(mèng)遺、的夢(mèng)境、已故親人的托夢(mèng)、兇殺與暴力、發(fā)財(cái)與死亡、穿越時(shí)空等等夢(mèng)中的聯(lián)想。

如圖所示,在開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí)為電能的存儲(chǔ)階段,這時(shí)可以把變壓器看成是一個(gè)電感如圖(a)左側(cè)所示。

從圖(a)的左側(cè)初級(jí)電路及圖(b)可知,當(dāng)開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí),初級(jí)繞組的電流Ip為線性增加。磁心內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度從Br增加到工作峰值Bm。

圖中反激式(Buck Boost)轉(zhuǎn)換器及儲(chǔ)能、反激期間的磁化情況

當(dāng)開(kāi)關(guān)管V關(guān)斷時(shí),

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初級(jí)電流降到零。次級(jí)的整流二極管D1導(dǎo)通,在次級(jí)出現(xiàn)感應(yīng)電流。按照功率恒定的原則,次級(jí)繞組的安匝數(shù)與初級(jí)繞組的安匝數(shù)相等。

在反激期間,反激電流逐漸下降到零,等效電路如圖(a)右側(cè)及圖(c)所示。

對(duì)于*能量轉(zhuǎn)換情況,反激時(shí)間總是小于toff時(shí)間。在反激時(shí)間內(nèi),磁心b磁通密度將從Bm下降到剩余磁通密度Bro,次級(jí)電流將以某工速率衰減,此速率由次級(jí)電壓和次級(jí)電感來(lái)決定,因此U's為次級(jí)繞組上的電壓,Ls為折算到次級(jí)的變壓器電感)。


電磁主要影響
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電磁磁場(chǎng)
磁場(chǎng)會(huì)使人體產(chǎn)生嚴(yán)重的危害性病變和思維的延續(xù)變化。如果人類長(zhǎng)期生活在強(qiáng)磁場(chǎng)范圍內(nèi),會(huì)導(dǎo)致內(nèi)分泌紊亂失調(diào),大腦也會(huì)產(chǎn)生不正常的延續(xù)思維,會(huì)誘發(fā)人體的某些潛能和特殊的功能變化,也會(huì)誘發(fā)癌癥。在大都市中,由電網(wǎng)和通訊網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的不同頻段的電磁波輻射,已經(jīng)給人類帶來(lái)了諸多不利因素。

人類社會(huì)正在遭受著多種電磁波輻射災(zāi)害,而這種災(zāi)害是無(wú)法看到的一種潛在的破壞性因素,它將導(dǎo)致人類的腦思維系統(tǒng)產(chǎn)生超越常規(guī)的病態(tài)和不健康的心態(tài)、精神失常、性情暴躁、內(nèi)分泌失調(diào)、煩躁多夢(mèng)、疑神疑鬼、心悸不安。在這種情況下也極易產(chǎn)生不正常的肢體舉動(dòng)。比如在夜間,人類大腦會(huì)產(chǎn)生比較特殊的夢(mèng)境聯(lián)想狀態(tài),像的夢(mèng)遺、的夢(mèng)境、已故親人的托夢(mèng)、兇殺與暴力、發(fā)財(cái)與死亡、穿越時(shí)空等等夢(mèng)中的聯(lián)想。

如圖所示,在開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí)為電能的存儲(chǔ)階段,這時(shí)可以把變壓器看成是一個(gè)電感如圖(a)左側(cè)所示。

從圖(a)的左側(cè)初級(jí)電路及圖(b)可知,當(dāng)開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí),初級(jí)繞組的電流Ip為線性增加。磁心內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度從Br增加到工作峰值Bm。

圖中反激式(Buck Boost)轉(zhuǎn)換器及儲(chǔ)能、反激期間的磁化情況

當(dāng)開(kāi)關(guān)管V關(guān)斷時(shí),

 圖

初級(jí)電流降到零。次級(jí)的整流二極管D1導(dǎo)通,在次級(jí)出現(xiàn)感應(yīng)電流。按照功率恒定的原則,次級(jí)繞組的安匝數(shù)與初級(jí)繞組的安匝數(shù)相等。

在反激期間,反激電流逐漸下降到零,等效電路如圖(a)右側(cè)及圖(c)所示。

對(duì)于*能量轉(zhuǎn)換情況,反激時(shí)間總是小于toff時(shí)間。在反激時(shí)間內(nèi),磁心b磁通密度將從Bm下降到剩余磁通密度Bro,次級(jí)電流將以某工速率衰減,此速率由次級(jí)電壓和次級(jí)電感來(lái)決定,因此U's為次級(jí)繞組上的電壓,Ls為折算到次級(jí)的變壓器電感)。


電磁主要影響
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電磁磁場(chǎng)
磁場(chǎng)會(huì)使人體產(chǎn)生嚴(yán)重的危害性病變和思維的延續(xù)變化。如果人類長(zhǎng)期生活在強(qiáng)磁場(chǎng)范圍內(nèi),會(huì)導(dǎo)致內(nèi)分泌紊亂失調(diào),大腦也會(huì)產(chǎn)生不正常的延續(xù)思維,會(huì)誘發(fā)人體的某些潛能和特殊的功能變化,也會(huì)誘發(fā)癌癥。在大都市中,由電網(wǎng)和通訊網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的不同頻段的電磁波輻射,已經(jīng)給人類帶來(lái)了諸多不利因素。

人類社會(huì)正在遭受著多種電磁波輻射災(zāi)害,而這種災(zāi)害是無(wú)法看到的一種潛在的破壞性因素,它將導(dǎo)致人類的腦思維系統(tǒng)產(chǎn)生超越常規(guī)的病態(tài)和不健康的心態(tài)、精神失常、性情暴躁、內(nèi)分泌失調(diào)、煩躁多夢(mèng)、疑神疑鬼、心悸不安。在這種情況下也極易產(chǎn)生不正常的肢體舉動(dòng)。比如在夜間,人類大腦會(huì)產(chǎn)生比較特殊的夢(mèng)境聯(lián)想狀態(tài),像的夢(mèng)遺、的夢(mèng)境、已故親人的托夢(mèng)、兇殺與暴力、發(fā)財(cái)與死亡、穿越時(shí)空等等夢(mèng)中的聯(lián)想。

如圖所示,在開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí)為電能的存儲(chǔ)階段,這時(shí)可以把變壓器看成是一個(gè)電感如圖(a)左側(cè)所示。

從圖(a)的左側(cè)初級(jí)電路及圖(b)可知,當(dāng)開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí),初級(jí)繞組的電流Ip為線性增加。磁心內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度從Br增加到工作峰值Bm。

圖中反激式(Buck Boost)轉(zhuǎn)換器及儲(chǔ)能、反激期間的磁化情況

當(dāng)開(kāi)關(guān)管V關(guān)斷時(shí),

 圖

初級(jí)電流降到零。次級(jí)的整流二極管D1導(dǎo)通,在次級(jí)出現(xiàn)感應(yīng)電流。按照功率恒定的原則,次級(jí)繞組的安匝數(shù)與初級(jí)繞組的安匝數(shù)相等。

在反激期間,反激電流逐漸下降到零,等效電路如圖(a)右側(cè)及圖(c)所示。

對(duì)于*能量轉(zhuǎn)換情況,反激時(shí)間總是小于toff時(shí)間。在反激時(shí)間內(nèi),磁心b磁通密度將從Bm下降到剩余磁通密度Bro,次級(jí)電流將以某工速率衰減,此速率由次級(jí)電壓和次級(jí)電感來(lái)決定,因此U's為次級(jí)繞組上的電壓,Ls為折算到次級(jí)的變壓器電感)。


電磁主要影響
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電磁磁場(chǎng)
磁場(chǎng)會(huì)使人體產(chǎn)生嚴(yán)重的危害性病變和思維的延續(xù)變化。如果人類長(zhǎng)期生活在強(qiáng)磁場(chǎng)范圍內(nèi),會(huì)導(dǎo)致內(nèi)分泌紊亂失調(diào),大腦也會(huì)產(chǎn)生不正常的延續(xù)思維,會(huì)誘發(fā)人體的某些潛能和特殊的功能變化,也會(huì)誘發(fā)癌癥。在大都市中,由電網(wǎng)和通訊網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的不同頻段的電磁波輻射,已經(jīng)給人類帶來(lái)了諸多不利因素。

人類社會(huì)正在遭受著多種電磁波輻射災(zāi)害,而這種災(zāi)害是無(wú)法看到的一種潛在的破壞性因素,它將導(dǎo)致人類的腦思維系統(tǒng)產(chǎn)生超越常規(guī)的病態(tài)和不健康的心態(tài)、精神失常、性情暴躁、內(nèi)分泌失調(diào)、煩躁多夢(mèng)、疑神疑鬼、心悸不安。在這種情況下也極易產(chǎn)生不正常的肢體舉動(dòng)。比如在夜間,人類大腦會(huì)產(chǎn)生比較特殊的夢(mèng)境聯(lián)想狀態(tài),像的夢(mèng)遺、的夢(mèng)境、已故親人的托夢(mèng)、兇殺與暴力、發(fā)財(cái)與死亡、穿越時(shí)空等等夢(mèng)中的聯(lián)想。

如圖所示,在開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí)為電能的存儲(chǔ)階段,這時(shí)可以把變壓器看成是一個(gè)電感如圖(a)左側(cè)所示。

從圖(a)的左側(cè)初級(jí)電路及圖(b)可知,當(dāng)開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí),初級(jí)繞組的電流Ip為線性增加。磁心內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度從Br增加到工作峰值Bm。

圖中反激式(Buck Boost)轉(zhuǎn)換器及儲(chǔ)能、反激期間的磁化情況

當(dāng)開(kāi)關(guān)管V關(guān)斷時(shí),

 圖

初級(jí)電流降到零。次級(jí)的整流二極管D1導(dǎo)通,在次級(jí)出現(xiàn)感應(yīng)電流。按照功率恒定的原則,次級(jí)繞組的安匝數(shù)與初級(jí)繞組的安匝數(shù)相等。

在反激期間,反激電流逐漸下降到零,等效電路如圖(a)右側(cè)及圖(c)所示。

對(duì)于*能量轉(zhuǎn)換情況,反激時(shí)間總是小于toff時(shí)間。在反激時(shí)間內(nèi),磁心b磁通密度將從Bm下降到剩余磁通密度Bro,次級(jí)電流將以某工速率衰減,此速率由次級(jí)電壓和次級(jí)電感來(lái)決定,因此U's為次級(jí)繞組上的電壓,Ls為折算到次級(jí)的變壓器電感)。


電磁主要影響
編輯


電磁磁場(chǎng)
磁場(chǎng)會(huì)使人體產(chǎn)生嚴(yán)重的危害性病變和思維的延續(xù)變化。如果人類長(zhǎng)期生活在強(qiáng)磁場(chǎng)范圍內(nèi),會(huì)導(dǎo)致內(nèi)分泌紊亂失調(diào),大腦也會(huì)產(chǎn)生不正常的延續(xù)思維,會(huì)誘發(fā)人體的某些潛能和特殊的功能變化,也會(huì)誘發(fā)癌癥。在大都市中,由電網(wǎng)和通訊網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的不同頻段的電磁波輻射,已經(jīng)給人類帶來(lái)了諸多不利因素。

人類社會(huì)正在遭受著多種電磁波輻射災(zāi)害,而這種災(zāi)害是無(wú)法看到的一種潛在的破壞性因素,它將導(dǎo)致人類的腦思維系統(tǒng)產(chǎn)生超越常規(guī)的病態(tài)和不健康的心態(tài)、精神失常、性情暴躁、內(nèi)分泌失調(diào)、煩躁多夢(mèng)、疑神疑鬼、心悸不安。在這種情況下也極易產(chǎn)生不正常的肢體舉動(dòng)。比如在夜間,人類大腦會(huì)產(chǎn)生比較特殊的夢(mèng)境聯(lián)想狀態(tài),像的夢(mèng)遺、的夢(mèng)境、已故親人的托夢(mèng)、兇殺與暴力、發(fā)財(cái)與死亡、穿越時(shí)空等等夢(mèng)中的聯(lián)想。

如圖所示,在開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí)為電能的存儲(chǔ)階段,這時(shí)可以把變壓器看成是一個(gè)電感如圖(a)左側(cè)所示。

從圖(a)的左側(cè)初級(jí)電路及圖(b)可知,當(dāng)開(kāi)關(guān)管V導(dǎo)通時(shí),初級(jí)繞組的電流Ip為線性增加。磁心內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度從Br增加到工作峰值Bm。

圖中反激式(Buck Boost)轉(zhuǎn)換器及儲(chǔ)能、反激期間的磁化情況

當(dāng)開(kāi)關(guān)管V關(guān)斷時(shí),

 圖

初級(jí)電流降到零。次級(jí)的整流二極管D1導(dǎo)通,在次級(jí)出現(xiàn)感應(yīng)電流。按照功率恒定的原則,次級(jí)繞組的安匝數(shù)與初級(jí)繞組的安匝數(shù)相等。

在反激期間,反激電流逐漸下降到零,等效電路如圖(a)右側(cè)及圖(c)所示。

對(duì)于*能量轉(zhuǎn)換情況,反激時(shí)間總是小于toff時(shí)間。在反激時(shí)間內(nèi),磁心b磁通密度將從Bm下降到剩余磁通密度Bro,次級(jí)電流將以某工速率衰減,此速率由次級(jí)電壓和次級(jí)電感來(lái)決定,因此U's為次級(jí)繞組上的電壓,Ls為折算到次級(jí)的變壓器電感)。


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電磁磁場(chǎng)

 

 


磁場(chǎng)會(huì)使人體產(chǎn)生嚴(yán)重的危害性病變和思維的延續(xù)變化。如果人類長(zhǎng)期生活在強(qiáng)磁場(chǎng)范圍內(nèi),會(huì)導(dǎo)致內(nèi)分泌紊亂失調(diào),大腦也會(huì)產(chǎn)生不正常的延續(xù)思維,會(huì)誘發(fā)人體的某些潛能和特殊的功能變化,也會(huì)誘發(fā)癌癥。在大都市中,由電網(wǎng)和通訊網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的不同頻段的電磁波輻射,已經(jīng)給人類帶來(lái)了諸多不利因素。

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AE1/CN-1F
CT1/AP-1HM30 shielded NO/PNP conn. M12
FAID/BN-0EAxial Receiver 20 m adj. NPN Q/QN plast. conn. M12
FAI7/BP-2E90° Energ. 400 mm adj. PNP Q/QN plast. conn. M12
AK1/A0-1A86
FARL/BN-1AAxial Retroreflective for transparent objects 1 m adj. NPN Q/QN metal. cable 2m axial
AH6/AP-1A86
FAID/BN-1AAxial Receiver 20 m adj. NPN Q/QN metal. cable 2m axial
AK1/CN-2A
AT1/CN-3HM30 shielded NC/NPN conn. M12
FAIC/BP-1A86Axial Retroreflective 4 m PNP Q/QN metal. cable 5m
Uscita analogica 0-10V
AE1/AP-1A84
AM1/A0-1HM12 shielded NO conn. M12
FARN/BP-2E90° Polarised 2 m adj. PNP Q/QN plast. conn. M12
AK1/CN-4A
PKW/0N-2HM18 unshielded NPN conn. M12 INOX
AK1/CN-4AM18 unshielded NC/NPN cable 2m axial
AH1/AN-2F
FAI6/BP-3E90° Energ. 400 mm PNP Q/QN metal. conn. M12
AK1/AP-4HAN
AE1/AP-1AAN
PFK1/BP-4HV5D18 unshielded LD NO+NC/PNP conn. M12
FAI5/BN-0AAxial Energ. 200 mm NPN Q/QN plast. cable 2m axial
AK1/AN-1A
AK1/AP-2AANM18 unshielded NO/PNP cable 2m II 3G Ex nA IIC T5, II 3D Ex tD A22 IP67 T90°C
FAL4/BP-3A90° laser Energ. 200 mm adj. PNP Q/QN met. cable 2m axial
AE1/AP-1A86
AK1/AP-2HAN
AK1/A0-2AM18 unshielded NO cable 2m axial
FAI7/BN-2E90° Energ. 400 mm adj. NPN Q/QN plast. conn. M12
VK2/A0-1B86M18 shielded NO cable 5m 
FAID/BN-2A90° Receiver 15 m adj. NPN Q/QN plast. cable 2m axial
AK1/A0-1ANL
AH1/AP-3A
FAI5/BN-1EAxial Energ. 200 mm NPN Q/QN metal. conn. M12
PMW/0P-2HANM12 unshielded PNP conn. M12 INOX II 3G Ex nA IIC T5, II 3D Ex tD A22 IP67 T90°C
FAIM/BP-2A90° Retroreflective 4 m adj. PNP Q/QN plast. cable 2m axial
AT1/CN-1HM30 shielded NC/NPN conn. M12
AE1/D1-7A
AT1/AN-1BM30 shielded NO/NPN 
PKS/PKW (variante AN)Protection degree II 3G Ex nA IIC T5, II 3D Ex tD A22 IP67 T90°C
AK1/AP-1H
PM3/00-1HM12 shielded conn. M12 
VT2/C0-2HM30 unshielded NC conn. M12 
ETK1/BP-1HM18 shielded PNP conn. M12 INOX
FAI7/BP-1AAxial Energ. 400 mm adj. PNP Q/QN metal. cable 2m axial
Ultrasonic Sensors
AE6/CN-3F
FQIZ/BP-0AAxial Receiver 20 m PNP Q/QN plast. cable 2m axial
PFM1/BP-1HM12 shielded Std. NO+NC/PNP conn. M12
AE1/AN-4A
CQ55/BP-3Ecubic Plastico DC 25mm PNP NO+NC conn. M12
FAIC/BN-0AAxial Retroreflective 4 m NPN Q/QN plast. cable 2m axial
FAIM/BP-0AAxial Retroreflective 4 m adj. PNP Q/QN plast. cable 2m axial
PFM1/BN-2HM12 unshielded Std. NO+NC/NPN conn. M12
Standard AC. 2 wires inductive proximity sensors
AK1/AN-4H
CT1/CP-1HM30 shielded NC/PNP conn. M12
AK1/AN-2A8R
SPU-00/OE
FAIM/BP-1AAxial Retroreflective 4 m adj. PNP Q/QN metal. cable 2m axial
SSV/AP-0E
FQRN/BP-2A90° Polarised 2 m adj. PNP Q/QN plast. cable 2m axial
Inductive sensors IP69K Food & Beverage applications M12; M18 d.c. 3/4 wires stainless steel AISI 316L
FAI8/BP-0E6XAxial Energ. 1000 mm adj. PNP Q/QN plast. conn. M12 Sn=1,3m
AK1/AP-4HANM18 unshielded NO/PNP conn. M12 II 3G Ex nA IIC T5, II 3D Ex tD A22 IP67 T90°C
FAID/BP-2A90° Receiver 15 m adj. PNP Q/QN plast. cable 2m axial
AT1/A0-2HM30 unshielded NO conn. M12
FAL4/BP-0EAxial laser Energ. 300 mm adj. PNP Q/QN plast. conn. M12
FARL/BN-3E90° Retroreflective for transparent objects 1 m adj. NPN Q/QN metal. conn. M12
AF/ER4
FAI7/BP-0AAxial Energ. 400 mm adj. PNP Q/QN plast. cable 2m axial
FAL4/BN-1AAxial laser Energ. 300 mm adj. NPN Q/QN met. cable 2m axial
FAI7/BN-3A90° Energ. 400 mm adj. NPN Q/QN metal. cable 2m axial
Capacitive Proximity Sensors
AK1/A0-2AAN
FAIC/BN-2A90° Retroreflective 4 m NPN Q/QN plast. cable 2m axial
AK1/AN-4A8R
IL1/AN-4Funshielded NPN NO conn. M8
C18P/A0-1AM18 Plastico Schermato AC 8mm NO cable 2m axial
C30P/BN-2EM30 Plastico Non Schermato DC 25mm NPN NO+NC conn. M12
AH, AE (variante AN)
FAIC/BP-1EAxial Retroreflective 4 m PNP Q/QN metal. conn. M12
FAIZ/BN-0EAxial Receiver 20 m NPN Q/QN plast. conn. M12
AE1/D1-7F
AM1/AP-2HANM12 unshielded NO/PNP conn. M12 II 3G Ex nA IIC T5, II 3D Ex tD A22 IP67 T90°C
PKS/0N-1HM18 shielded NPN conn. M12
AM1/A0-2AM12 unshielded NO cable 2m axial
FAI6/BP-1AAxial Energ. 400 mm PNP Q/QN metal. cable 2m axial
AT1/AP-1AM30 shielded NO/PNP cable 2m axial
AK1/AP-4H
FQIC/BP-0AAxial Retroreflective 4 m PNP Q/QN plast. cable 2m axial
AK1/AP-1A8R
AE1/CN-2H
AM, AK, AT(variante AN)Protection degree II 3G Ex nA IIC T5, II 3D Ex tD A22 IP67 T90°C
AT1/CN-2HM30 unshielded NC/NPN conn. M12
PFM1/BN-4HM12 unshielded LD NO+NC/NPN conn. M12
AT1/CP-1BM30 shielded NC/PNP 
C18P/BP-2EM18 Plastico Non Schermato DC 12mm PNP NO+NC conn. M12
FARL/BP-3A90° Retroreflective for transparent objects 1 m adj. PNP Q/QN metal. cable 2m axial
CQ50/AP-4Acubic Plastico DC 10mm PNP NC cable 2m 90°
AK1/CN-3AM18 shielded NC/NPN cable 5m axial
FAIC/BP-0AAxial Retroreflective 4 m PNP Q/QN plast. cable 2m axial
ATEX version inductive sensors
AM6/CP-4AANM12 unshielded short LD NC/PNP cable 2m II 3G Ex nA IIC T5, II 3D Ex tD A22 IP67 T90°C
FAI6/BP-2E90° Energ. 400 mm PNP Q/QN plast. conn. M12
AH6/AP-3F
AT1/AN-3HM30 shielded NO/NPN conn. M12
AE6/CP-2A
FAI6/BN-2E90° Energ. 400 mm NPN Q/QN plast. conn. M12
C30M/00-2EM30 Inox Non Schermato AC 25mm NO/NC conn. M12
FAIZ/BN-3A90° Receiver 15 m NPN Q/QN metal. cable 2m axial



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