線切割樹(shù)脂多少錢一升；慢走絲樹(shù)脂，拋光樹(shù)脂，超純水制備樹(shù)脂，電子行業(yè)樹(shù)脂，為消除樹(shù)脂金剛石線切割硅片的延時(shí)現(xiàn)象,建立切割模型研究單顆金剛石樹(shù)脂層退讓性,分析退讓量δ和切割線弓A的關(guān)系。理論研究表明:線弓的變化量和樹(shù)脂層的退讓量正相關(guān)。選不同硬度的樹(shù)脂按相同工藝制備金剛石切割線,并進(jìn)行單晶硅切割對(duì)比實(shí)驗(yàn),用掃描電鏡觀察切割后的樹(shù)脂金剛石線鋸。發(fā)現(xiàn):在相同的切割條件下,以較軟的樹(shù)脂制成的金剛石切割線其退讓行為顯著、線弓大、切割時(shí)間長(zhǎng)。使用高強(qiáng)樹(shù)脂,可增加樹(shù)脂層的固化強(qiáng)度,降低樹(shù)脂層的退讓性,有效解決切割延時(shí)問(wèn)題。拋光混床樹(shù)脂是再生型高轉(zhuǎn)型率陽(yáng)陰混合樹(shù)脂，陽(yáng)樹(shù)脂為H型，陰樹(shù)脂為OH型，此時(shí)陽(yáng)、陰樹(shù)脂因正負(fù)電荷的作用力而抱團(tuán)在一起，形成無(wú)數(shù)級(jí)復(fù)床（也即陽(yáng)+陰+陽(yáng)+陰+陽(yáng)+陰），流通過(guò)混床樹(shù)脂后經(jīng)過(guò)無(wú)數(shù)級(jí)的交換過(guò)濾，值得高純度的水質(zhì)。陽(yáng)樹(shù)脂的H+離子與水中的Ca2+、Mg2+、Na+等陽(yáng)離子發(fā)生置換反應(yīng)，陰樹(shù)脂的OH-與水中硫酸根，氯根等陰離子發(fā)生置換反應(yīng)，陽(yáng)樹(shù)脂置換出的H+與陰離子置換出的OH-離子結(jié)合形成H2O。但隨著使用時(shí)間的延長(zhǎng)，樹(shù)脂的交換能力會(huì)逐漸下降（也即H+和OH-逐漸被相應(yīng)離子所交換），陽(yáng)陰樹(shù)脂之間的靜電也會(huì)減弱，最終樹(shù)脂失效后導(dǎo)致分層。隨著太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,硅晶體材料的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。線切割樹(shù)脂多少錢一升；硅片切割是光伏產(chǎn)業(yè)中一道重要的工藝。硅片質(zhì)量的好壞直接影響后續(xù)的加工成本。研究樹(shù)脂金剛石切割線切割硅晶體的切割機(jī)理以及硅片切割過(guò)程中影響硅片質(zhì)量的因素,可以為切割工藝的制定提供理論指導(dǎo)。研究了硅晶體的去除機(jī)理,借助電子掃描顯微鏡觀察切割后的硅片以及切屑形貌,研究硅晶體的去除形式,計(jì)算了硅晶體塑性去除的臨界深度,并研究了不同切削參數(shù)對(duì)硅晶體去除機(jī)理的影響。對(duì)切割完的硅片進(jìn)行表面損傷層的研究,切割完后的硅片表面有大量的微裂紋存在,隨著硅片切入深度的增加硅片表面裂紋寬度變大,硅片表面粗糙度隨著線速度的增加而減小,隨著進(jìn)給速度增大而增大,采用截面顯微法研究了不同切割參數(shù)對(duì)硅片亞表面損傷深度的影響。首次建立了樹(shù)脂金剛石切割線切割硅片的切割模型以及單顆金剛石的樹(shù)脂層退讓模型。?