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當(dāng)前位置：泰州巨納新能源有限公司>>二維材料>>異質(zhì)結(jié)>> SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)
產(chǎn)品型號(hào)
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地泰州市
更新時(shí)間：2024-06-03 21:47:34瀏覽次數(shù)：1083次
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二硒化錫/石墨烯 SnSe2/Graphene異質(zhì)結(jié)
二硒化鉑/石墨烯 PtSe2/Graphene異質(zhì)結(jié)
二硫化錫/石墨烯 SnS2/Graphene異質(zhì)結(jié)
二硫化錸/石墨烯 ReS2/Graphene異質(zhì)結(jié)
二硒化錸/石墨烯 ReSe2/Graphene異質(zhì)結(jié)
| 供貨周期 | 現(xiàn)貨 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,綜合 |
|---|
基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)
石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì)：
單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 8片裝
每個(gè)薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的覆蓋率約為98％
薄膜是連續(xù)的，有小孔和有機(jī)殘留物
高結(jié)晶質(zhì)量
石墨烯薄膜預(yù)先單層（超過(guò)95％），偶爾有少量多層（雙層小于5％）
薄層電阻：430-800Ω/平方
石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通過(guò)CVD方法在銅箔上生長(zhǎng)，然后轉(zhuǎn)移到SiO2/Si晶片上。
硅/二氧化硅晶圓的特性：
氧化層厚度：285nm
顏色：紫羅蘭色
晶圓厚度：525微米
電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米
型號(hào)/摻雜劑：P /硼
方向：<100>
前表面：拋光
背面：蝕刻
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