您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)！ 登錄| 免費(fèi)注冊| 產(chǎn)品展廳| 收藏商鋪|
您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)！ 登錄| 免費(fèi)注冊| 產(chǎn)品展廳| 收藏商鋪|
13651969369
當(dāng)前位置：泰州巨納新能源有限公司>>二維材料>>硒化物晶體>> SnSe 硒化錫晶體 (Tin Selenide)
產(chǎn)品型號
品 牌2D Semiconductors
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地泰州市
更新時(shí)間：2024-06-03 11:13:17瀏覽次數(shù)：918次
聯(lián)系我時(shí)，請告知來自 化工儀器網(wǎng)
GaTe 碲化鎵晶體 (Gallium Telluride)
| 供貨周期 | 現(xiàn)貨 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,綜合 |
|---|
In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV (indirect) and 1.25 direct gaps. It has layered structure (lamellar) with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers. Each monolayer is four atoms thick (Se-Sn-Sn-Se) that is roughly 0.9-1.0 nm. At high pressures it undergo semiconductor to superconductor transition. More recently, SnSe has been shown to display world record performance for thermoelectric material efficiency.
SnSe single crystal characteristics
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗(yàn)證碼
以上信息由企業(yè)自行提供，信息內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé)，化工儀器網(wǎng)對此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
溫馨提示：為規(guī)避購買風(fēng)險(xiǎn)，建議您在購買產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。
化工儀器網(wǎng)