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北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司

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食品重金屬檢測儀ZJ05

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號ZJ05

品牌

廠商性質其他

所在地北京市

更新時間:2024-09-11 15:53:21瀏覽次數(shù):1716次

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產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應用領域 石油
食品重金屬檢測儀ZJ05采用電化學方法,使用無汞電,安全環(huán)保。 主要針對食品、水質、土壤、水產(chǎn)品等物質中重金屬含量進行檢測,操作簡單,便于在現(xiàn)場快速準確的進行檢測。集重金屬鉛、鎘、六價鉻、汞、砷等多種檢測項目為一體,可以滿足多項重金屬分析的需要

食品重金屬檢測儀ZJ05

說明
重金屬檢測儀采用電化學方法,使用無汞電,安全環(huán)保。 主要針對食品、水質、土壤、水產(chǎn)品等物質中重金屬含量進行檢測,操作簡單,便于在現(xiàn)場快速準確的進行檢測。集重金屬鉛、鎘、六價鉻、汞、砷等多種檢測項目為一體,可以滿足多項重金屬分析的需要。此檢測儀器既可用于現(xiàn)場檢測,也可用于實驗室檢測,開機成本低,耗材用量少,操作工作量小,使用方便且成本低。

食品重金屬檢測儀ZJ05
一、儀器特點:
1.基于溶出伏安法,抗干擾能力強,靈敏度高,檢測限低至ppb級(μg/L);
2.工作電采用長壽命無汞電,安全環(huán)保;
3.樣品前處理安全、簡便,可以一次處理測試鉛、鎘、鉻、汞、砷等多種金屬;
4.快速檢測,檢測時間只需幾十秒,檢測前準備時間只需幾分鐘;
5.高清觸摸屏幕,操作簡便,無需掌握電化學專業(yè)知識;
6.測試過程自動化,支架自動升降,測試管旋轉速度自動調節(jié);
7.智能化程度高,數(shù)據(jù)可自動處理、顯示、存儲、打?。?br />8.使用成本低,開機成本低,耗材用量少;
9.使用方便,既可用于現(xiàn)場檢測,也可用于實驗室檢測;
10.可與計算機連接使用,配備軟件控制檢測過程。

二、技術參數(shù):
1.系統(tǒng)分辨精度:電流零點對應的電位對值不大于2mV;
                             起點電位與初始電位設定值相對偏差的對值應不大于2%;
                             終點電位與終止電位設定值相對偏差的對值應不大于2%;
2.zui小可測濃度:0.5 ppb (μg/L);
3.重復性:RSD≤10%;
4.線性:線性相關系數(shù)r≥0.995;
5.外形尺寸:400 mm×270 mm×420 mm;
6.凈重:14.0 ㎏

產(chǎn)品名稱:數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 少子壽命測試儀
產(chǎn)品型號: LT-100C

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 少子壽命測試儀 型號: LT-100C 
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量,特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。                                                        
      該設備是按照標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年,積累了豐富的使用經(jīng)驗,經(jīng)過數(shù)次全國十多個單位巡回測試的考驗,證明是一種成熟可靠的測試方法,特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量;也可對硅片進行測量,給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,制樣簡便。 

 LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點: 
1、 可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光,直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。 
2、  可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命,表面無需拋光、鈍化。 
3、配備軟件的數(shù)字示波器,液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時顯示動態(tài)光電導衰退波形,并可聯(lián)用打印機及計算機。 
4、配置兩種波長的紅外光源: 
a、紅外光源,光穿透硅晶體深度較深≥500μm,有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。 
b、短波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強較強,有利于測量低阻太陽能級硅晶體。 
5、測量范圍寬廣 
測試儀可直接測量: 
a、研磨或切割面:電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。 
b、拋光面:電阻率在0.3~0.01Ω•㎝范圍內的硅單晶、鍺單晶拋光片。 
壽命可測范圍     0.25μS—10ms     

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