金屬薄片低阻雙電四探針測(cè)試儀，是目前同行業(yè)中能測(cè)量到的Z小值，采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸安全、使用方便；適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具

FT-361超低阻雙電四探針測(cè)試儀

一、概述：本品為解決四探針法測(cè)試超低阻材料方阻及電阻率，zui小可以測(cè)試到1uΩ方阻值，是目前同行業(yè)中能測(cè)量到的zui小值，采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸安全、使用方便；適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料。

液晶顯示，無需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，儀器自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成報(bào)表；

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。

選購：本機(jī)還可以配合各類環(huán)境溫度試驗(yàn)箱體使用，通過不同的測(cè)量治具滿足不同環(huán)境溫度下測(cè)量方阻和電阻率的需求.

二、金屬薄片低阻雙電四探針測(cè)試儀廣泛用于：覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、

薄膜材料方阻測(cè)試硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻  半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率  導(dǎo)電性油漆，導(dǎo)電性糊狀物，導(dǎo)電性塑料，導(dǎo)電性橡膠，導(dǎo)電性薄膜，金屬薄膜，抗靜電材料， EMI 防護(hù)材料，導(dǎo)電性纖維，導(dǎo)電性陶瓷等

三、低阻雙電四探針測(cè)試儀參數(shù)資料

1.方塊電阻范圍：10^-6～2×10²Ω/□

2.電阻率范圍：10^-7～2×10³Ω-cm

3.測(cè)試電流范圍：0.1μA ，1μA，10μA，100µA.

4.電流精度：±0.1%讀數(shù)

5.電阻精度：≤0.3%

6.顯示讀數(shù)：液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率.

7.測(cè)試方式: 雙電測(cè)量

8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗：<30W

9.整機(jī)不確定性誤差: ≤4%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果）

10.選購功能: 選購1.pc軟件； 2.方形探頭； 3.直線形探頭； 4.測(cè)試平臺(tái)

11.測(cè)試探頭：  探針間距選購：1mm；2mm；3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購：碳化鎢針;白鋼針；鍍金磷銅半球形針