三菱整流橋

在整流橋的每個工作周期內，同一時間只有兩個二極管進行工作，通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。對一般常用的小功率整流橋(如:RECTRON SEMICONDUCTOR的RS2501M)進行解剖會發(fā)現，其內部的結構如圖2所示，該全波整流橋采用塑料封裝結構(大多數的小功率整流橋都是采用該封裝形式)。橋內的四個主要發(fā)熱元器件--二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引腳(交流輸入導線)相連，形成我們在外觀上看見的有四個對外連接引腳的全波整流橋。

一般而言，對于損耗比較小(<3.0W)的元器件都可以采用自然冷卻的方式來解決元器件的散熱問題。當整流橋的損耗不大時，可采用自然冷卻方式來處理。此時，整流橋的散熱途徑主要有以下兩個方面:整流橋的殼體(包括前后兩個比較大的散熱面和上下與左右散熱面)和整流橋的四個引腳。通常情況下，整流橋的上下和左右的殼體表面積相對于前后面積都比較小，因此在分析時都不考慮通過這四個面(上下與左右表面)的散熱。

在這兩個主要的散熱途徑中，由于自然冷卻散熱的換熱系數一般都比較小(<10W/ m2C)，并且整流橋前后散熱面的絕對面積也比較小，因此實際上通過該途徑的散熱量也是十分有限的;由于引腳銅板是直接與發(fā)熱元器件(二級管)相連接的，并且其材料為銅，導熱性能很好，所以在自然冷卻散熱的情況下，整流橋的大部分損耗是通過該引腳把熱量傳遞給PCB板，然后由PCB板擴充其換熱面積而散發(fā)到周圍的環(huán)境中去。具體的分析計算如下:

由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結構，在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導線的周圍充滿了作為絕緣、導熱的骨架填充物質--環(huán)氧樹脂。然而，環(huán)氧樹脂的導熱系數是比較低的(一般為0.35℃W/m，最高為2.5℃W/m)，因此整流橋的結--殼熱阻一般都比較大(通常為1.0~10℃/W)。通常情況下，在元器件的相關參數表里，都會提供該器件在自然冷卻情況下的結-環(huán)境的熱阻(Rja)和當元器件自帶一散熱器，通過散熱器進行器件冷卻的結--殼熱阻(Rjc)。

型號(三相橋模塊) 技術指標 批價(元) 型號(三相橋模塊) 技術指標 批價(元)
RM10TA-M(H) 20A/400V(800V)/6U 98/100 RM20TPM-24(2H) 40A/1200V(1600V)/6U 257/260
RM10TA-24S(2H) 20A/1200V(1600V)/6U 124/140 RM30TA-M(H) 7/400V(800V)/6U 230/260
RM10TB-M(H) 20A/400V(800V)/6U 98/100 RM30TB-M(H) 60A/400V(800V)/6U 257/260
RM15TA-M(H) 30A/400V(800V)/6U 100/120 RM30TC-24(2H) 60A/1200V(1600V)/6U 400/450
RM15TA-24(2H) 30A/1200V(1600V)/6U 130/160 RM30TC-40 60A/2000V/6U 900
RM15TB-M(H) 30A/400V(800V)/6U 100/120 RM30TPM-M(H) 60A/400V(800V)/6U 257/260
RM15TC-40 30A/2000V/6U 800 RM50TC-24(2H) 100A/1200V(1600V)/6U 500/550
RM20TA-24(2H) 40A/1200V(1600V)/6U 257/260 RM50TC-H 100A/800V/6U 480
RM20TPM-M(H) 40A/400V(800V)/6U 180/198 RM75TC-24(2H) 150A/1200V(1600V)/6U 700/750
RM10TN-H/2H   RM75TC-H 150A/800V/6U 700
RM20TN-H/2H   RM25TN-H/2H  
  RM40TN-H/2H  
三菱整流橋