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詳細(xì)摘要： 二硒化釩晶體 VSe2 （Vanadium Diselenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：金屬，電荷密度波（CDW）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b =...

詳細(xì)摘要： 二硒化鎢晶體 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，P型晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.3...

詳細(xì)摘要： 二硒化鋯晶體 ZrSe2 （Zirconium Selenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.377, c ...

詳細(xì)摘要： 晶體尺寸：亞毫米大小電學(xué)特性：金屬晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系晶胞參數(shù)：a = 1.217nm，B = 0.3688nm，C = 0.8381nm，α=γ= 90...

詳細(xì)摘要： 晶體尺寸：8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：單斜磷晶胞參數(shù)：a = 0.541nm，B = 0.375nm，C = 0.944nm，α=γ= 90°，γ...

詳細(xì)摘要： 三硒化鋯晶體（99.995%） ZrSe3 （Zirconium Triselenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系晶胞參數(shù)：a = ...

詳細(xì)摘要： 二硒化鉬晶體 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-N型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)特性：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...

詳細(xì)摘要： 二硒化鎢晶體 WSe2（Tungsten Diselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，P型晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.3...

詳細(xì)摘要： 硒化銦晶體（99.995%） InSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InS...

詳細(xì)摘要： 二硒化鎢鈀晶體（99.995%） PdSe2晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,...

詳細(xì)摘要： 硒化鎢晶體（硫摻雜）（99.995%） WSSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTe...

詳細(xì)摘要： 三硒化錳（磷摻雜）晶體（99.995%） MnPSe3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,G...

詳細(xì)摘要： Bismuth Selenide （Bi?Se?） Developed at our facilities since early 2011 to optimi...

詳細(xì)摘要： World record size single crystal SnSe? （Tin diselenide） crystals are developed a...

詳細(xì)摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.

詳細(xì)摘要： Our MoWSe2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）Se2 crystals perfectly crys...

詳細(xì)摘要： Superconductivity in monolayers. Currently, 2D aspect of this material remains l...

詳細(xì)摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReSe? matrix.

詳細(xì)摘要： High purtiy WSe2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type d...

詳細(xì)摘要： The first MoWTe2 ternary alloy.