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詳細摘要： Bismuth telluride is one of our latest addition to 2D metals family. BiTe has be...

詳細摘要： Our single crystal GeTe （Germanium telluride） crystals come with guaranteedaniso...

詳細摘要： The first commercial vdW Tellurium （b-phase） crystals. Layered tellurium crystal...

詳細摘要： Our R&D team are about to release new Tellurene nanowires series （in late March,...

詳細摘要： Zirconium Tritelluride belongs to the group-IV transition metal trichalcogenides...

詳細摘要： Similar to graphene and MoS2, TiTe? is also layered material （layered transition...

詳細摘要： 硒化鉍晶體 Bi2Se3（Bismuth Selenide）晶體尺寸：10毫米電學性能：拓撲絕緣體晶體結構：菱面體晶胞參數(shù)：a = b = 0.413, c =...

詳細摘要： 硒化鎵晶體 2H-GaSe（Gallium Selenide）晶體尺寸：10毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.374 nm, c...

詳細摘要： 硒化鍺晶體 GeSe （Germanium Selenide）晶體尺寸：~10毫米電學性能：半導體晶體結構：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0.383 nm, b =...

詳細摘要： 二硒化鉿晶體 HfSe2（Hafnium Selenide）晶體尺寸：~10毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.3745 nm, ...

詳細摘要： 硒化銦晶體 In2Se3（Indium Selenide）晶體尺寸：8-10毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.398 nm, c...

詳細摘要： 二硒化鉬晶體 2H-MoSe2（Molybdenum Diselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學特性：P型半導體晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b ...

詳細摘要： 晶體尺寸：~6毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：取決于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 n...

詳細摘要： 硒化鎢鉬晶體 MoWSe2（Molybdenum Tungsten Diselenide）晶體尺寸：6毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：取決于合金成...

詳細摘要： 二硒化鈮晶體 2H-NbSe2（Niobium Selenide）晶體尺寸：~10毫米電學性能：金屬，半導體（TC ~ 7.2k） Charge Density...

詳細摘要： 二硒化鉑晶體 PtSe2 （Platinum Selenide）晶體尺寸：2-3毫米電學性能：半金屬晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.375 nm,...

詳細摘要： 二硒化錸晶體 ReSe2（Rhenium Selenide）晶體尺寸：~8毫米電學性能：n型半導體晶體結構：三斜晶系晶胞參數(shù)：a = 0.658 nm, b =...

詳細摘要： 二硒化錫晶體 SnSe2 （Tin Selenide）晶體尺寸：~8毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = 0.381, c = 0.61...

詳細摘要： 二硒化鉭晶體 2H-TaSe2 （Tantalum Selenide）晶體尺寸：~10毫米電學性能：Metal, Charge density waves （C...

詳細摘要： 硒化鈦 1T-TiSe2（Titanium Selenide）晶體尺寸：~8毫米電學性能：半金屬，電荷密度波（CDW）晶體結構：六邊形晶胞參數(shù)：a = b = ...