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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>集成電路測(cè)試與分選設(shè)備>信號(hào)測(cè)試系統(tǒng)/半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)>BW-4022C 光耦晶振綜合測(cè)試系統(tǒng)

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BW-4022C 光耦晶振綜合測(cè)試系統(tǒng)

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陜西博微電通科技有限責(zé)任公司是一家致力于高精度半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備、電力電子設(shè)備、電池安全管理系統(tǒng)及電力儲(chǔ)能解決方案的集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高科技企業(yè)。

公司位于古城西安西咸新區(qū)灃東新城能源金貿(mào)區(qū)，地理位置環(huán)境*，依托西安眾多高校及研究所，公司擁有一批高素質(zhì)人才隊(duì)伍，從軟件開發(fā)、硬件設(shè)計(jì)、系統(tǒng)集成、產(chǎn)品升級(jí)迭代及售后服務(wù)均由專業(yè)技術(shù)人員完成，多年來公司與深圳、西安、杭州等多家高科技企業(yè)合作開發(fā)出針對(duì)半導(dǎo)體測(cè)試、電力電子、能源管理系統(tǒng)系列產(chǎn)品，經(jīng)過技術(shù)迭代，產(chǎn)品功能全面，產(chǎn)品質(zhì)量可靠，市場(chǎng)口碑優(yōu)秀。

   公司注重產(chǎn)品質(zhì)量，更注重客戶服務(wù)滿意度及產(chǎn)品體驗(yàn)，每一款產(chǎn)品出廠前都經(jīng)過嚴(yán)格的檢驗(yàn)或第三方機(jī)構(gòu)監(jiān)測(cè)，并持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品功能、根據(jù)客戶需求定制或迭代升級(jí)產(chǎn)品。我們秉承“博厚共贏、服務(wù)入微”理念竭誠(chéng)為每一位客戶提供可靠的、高品質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù)，幫助解決客戶實(shí)際使用痛點(diǎn)，開發(fā)難點(diǎn)，節(jié)約生產(chǎn)成本提高工作效率，助力行業(yè)發(fā)展。

半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)：（Semiconductor test system）

針對(duì)Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC半導(dǎo)體測(cè)試產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體企業(yè)測(cè)試計(jì)量、封裝測(cè)試、IDM測(cè)試、晶圓測(cè)試、DBC測(cè)試以及科研教學(xué)、智能電力、軌道交通、新能源汽車、白色家電等元器件應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈的來料檢驗(yàn)、器件選型及科研及院所、實(shí)驗(yàn)室的數(shù)據(jù)驗(yàn)證分析和研發(fā)指導(dǎo)等。

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可針對(duì)Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進(jìn)行高精度靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù)）測(cè)試精度可達(dá)16位ADC；動(dòng)態(tài)雙脈沖（包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg）及Rg/UIS/SC/C/RBSOA測(cè)試等；環(huán)境老化測(cè)試（包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/間歇壽命IOL/功率循環(huán)PCT3000 ）及熱特性測(cè)試（包括PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備/雪崩耐量測(cè)試UIS、二極管浪涌測(cè)試IFSM、熱阻測(cè)試、晶閘管直流參數(shù)測(cè)試SCR、安全工作區(qū)正偏/反偏/短路安全工作區(qū)測(cè)試SOA，各類型探針臺(tái)、高精度高低溫箱及分立器件分選機(jī)系統(tǒng)等。

電池安全管理及儲(chǔ)能：（Battery safety management and energy storage system）

電池安全管理系統(tǒng)主要是針對(duì)電池、蓄電池組、儲(chǔ)能系統(tǒng)安全及應(yīng)用電池全生命周期系統(tǒng)解決方案，主要產(chǎn)品覆蓋儲(chǔ)能電池BMS、后備電池BMS、動(dòng)力電池BMS和電池監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)平臺(tái)等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于儲(chǔ)能，云計(jì)算，數(shù)據(jù)中心，通信網(wǎng)絡(luò)，軌道交通，以及商業(yè)和工業(yè)設(shè)施關(guān)鍵電源領(lǐng)域，將成為國(guó)家綠色能源轉(zhuǎn)型重要系統(tǒng)保障。

 

 

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備，功率器件可靠性測(cè)試，熱特性安全測(cè)試，儲(chǔ)能及電力能源安全管理系統(tǒng)


BW-4022C


半導(dǎo)體綜合測(cè)試系統(tǒng)


BW-4022C半導(dǎo)體綜合測(cè)試系統(tǒng)可同時(shí)針對(duì)：

【光耦】

適用于〖三極管管型光耦/可控硅光耦/繼電器光耦〗進(jìn)行測(cè)試。

【二極管】

〖Diode /穩(wěn)壓Diode/ZD/SBC/TVS/整流橋堆〗進(jìn)行測(cè)試。

【壓敏電阻】

〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗進(jìn)行測(cè)試。

【鋰亞電池】

〖Kelvin/電池空載電壓（Vbt）/負(fù)載電壓(Vbt_load )  /測(cè)試電流（0-10A 恒流 ）/負(fù)載電壓變化值（▲Vbt_load）/電池內(nèi)阻(Vbt Res)  測(cè)試。

【晶振】

〖震蕩頻率(Freq_osc )/諧振電阻（Ri）/頻率精度(Freq_ppm)/測(cè)試頻率范圍（10kHz~10MHz）等測(cè)試。

【其他測(cè)試功能可定制拓展】

BW-4022C半導(dǎo)體綜合測(cè)試系統(tǒng)是針對(duì)于半導(dǎo)體器件開發(fā)專用測(cè)試的系統(tǒng)，經(jīng)我公司產(chǎn)品升級(jí)與開發(fā)，目前亦可以對(duì)二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種器件進(jìn)行參數(shù)測(cè)試，性能、精度、測(cè)試范圍均滿足客戶測(cè)試需求，可用于客戶端來料檢驗(yàn)、研發(fā)分析、 產(chǎn)品選型等重要檢測(cè)設(shè)備之一。

BW-4022C 半導(dǎo)體綜合測(cè)試系統(tǒng)采用大規(guī)模 32 位 ARM&MCU 設(shè)計(jì)， PC 中文操作界面，程控軟件基于 Lab VIEW 平臺(tái)， 填充調(diào)用式菜單操作界面，測(cè)試界面簡(jiǎn)潔 靈活、人機(jī)界面友好。配合開爾文綜合集成測(cè)試插座，根據(jù)不同器件更換測(cè)試座配合，系統(tǒng)可適配設(shè)置完成對(duì)二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種元件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

該測(cè)試系統(tǒng)主要由測(cè)試主機(jī)和程控電腦及外部測(cè)試夾具三部分組成，并接受客戶端MES系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試指令：方案選取/開始/暫停/停止/數(shù)據(jù)上傳等操作執(zhí)行，并可將測(cè)試數(shù)據(jù)上傳至MES系統(tǒng)由客戶端處理。

一、 設(shè)備規(guī)格與環(huán)境要求

物理規(guī)格

主機(jī)尺寸：深 660*寬 430*高 210(mm) 臺(tái)式

主機(jī)重量：＜25kg

產(chǎn)品色系：白色系

工況環(huán)境

主機(jī)功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超過 1500m；

環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲(chǔ)存）、5℃～50℃（工作）；

相對(duì)濕度： 20%RH～75%RH (無凝露，濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下)；

大氣壓力：86Kpa～106Kpa；

防護(hù)條件：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等；

供電要求

電源配置：AC220V±10%、50Hz±1Hz；

工作時(shí)間：連續(xù)；

二、測(cè)試種類與技術(shù)指標(biāo)

1、光耦測(cè)試：

輸入（Input）相關(guān)參數(shù)

· 正向電壓（Forward Voltage）：

· 符號(hào)：Vf    · 最小值  · 典型值：1.2 V  · MAX值：1.4 V  · 單位：V  · 測(cè)試條件：If=20mA

· 反向電流（Reverse Current）：

· 符號(hào)：Ir  · 最小值：無  · 典型值：無  · MAX值：10 μA  · 單位：μA   · 測(cè)試條件：Vr=4V

輸出（Output）相關(guān)參數(shù)

· 集電極暗電流（Collector Dark Current）：

· 符號(hào)：Iceo  · 最小值：無  · 典型值：無  · MAX值：100 nA   · 單位：nA   · 測(cè)試條件：Vce-20V,If=0

· 集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓（Collector-Emitter Breakdown Voltage）：

· 符號(hào)：BVceo  · 最小值：80 V   · 典型值：無   · MAX值：無  · 單位：V   · 測(cè)試條件：Ic-0.1mA,If=0

· 發(fā)射極 - 集電極擊穿電壓（Emitter-Collector Breakdown Voltage）：

· 符號(hào)：BVeco   · 最小值：6 V  · 典型值：無  · MAX值：無  · 單位：V   · 測(cè)試條件：Ie-10μA,,If=0

· 集電極電流（Collector Current）：

· 符號(hào)：Ic  · 最小值：2.5 mA  · 典型值：無  · MAX值：30 mA  · 單位：mA  · 測(cè)試條件：If=5mA,Vce-5V

· 電流傳輸比（Current Transfer Ratio）：

· 符號(hào)：CTR  · 最小值：50 %  · 典型值：無  · MAX值：600 %  · 單位：%  · 測(cè)試條件：If=5mA,Vce-5V

傳輸特性（TRANSFER CHARACTERISTICS）相關(guān)參數(shù)

· 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓（Collector-Emitter Saturation Voltage）：

· 符號(hào)：Vce  · 最小值：無  · 典型值：0.1 V  · MAX值：0.2 V  · 單位：Vbv  · 測(cè)試條件：If=20mA,Ic-1mA

· 隔離電阻（Isolation Resistance）：

· 符號(hào)：Riso  · 最小值： Ω  · 典型值： Ω  · MAX值：無  · 單位：Ω  · 測(cè)試條件：DC500V, 40 - 60% R.H.

（以上參數(shù)基于晶體管LTV-816-Cu series特性參數(shù)）

· 三極管管型光耦

測(cè)試參數(shù)

符號(hào)

量程

測(cè)試范圍

測(cè)試條件

測(cè)量精度

輸入正向?qū)▔航?/span>

Vf1

0-10V

+-10V

0-4A

1%+FullRange0.1%+-2mV

反向擊穿電壓（耐壓）

Bvceo1 Bveco1

1

+-1V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-1mV

2

+-10V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-2mV



3

+-100V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-20mV



4

+-1000V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-200mV



5

+-2000V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-2V



反向漏電流

Iceo1 Ir1

1

+-100nA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-7nA

2

+-1uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



3

+-10uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



4

+-100uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-30nA



5

+-1mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-300nA



6

+-10mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-3uA



7

+-100mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-30uA



輸出導(dǎo)通壓降

Vce(sat)1

0-10V

+-10V


1%+FullRange0.1%+-2mV

輸入輸出電流傳輸比


2

600


1%+FullRange0.5%+-5

3

6000


1%+FullRange0.5%+-10



4

60000


1%+FullRange0.5%+-20









· 可控硅光耦

測(cè)試參數(shù)

符號(hào)

量程

測(cè)試范圍

測(cè)試條件

測(cè)量精度

輸入正向?qū)▔航?/span>

Vf1

0-10V

+-10V

0-4A

1%+FullRange0.1%+-2mV

反向擊穿電壓（耐壓）

輸入觸發(fā)電流

Vdrm  vrrm

ift

1

+-1V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-1mV

2

+-10V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-2mV



3

+-100V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-20mV



4

+-1000V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-200mV



5

+-2000V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-2V



反向漏電流


irrm idrm ir1


1

+-100nA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-7nA

2

+-1uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



3

+-10uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



4

+-100uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-30nA



5

+-1mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-300nA



6

+-10mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-3uA



7

+-100mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-30uA








1%+FullRange0.1%+-2mV

輸入LED正向壓降

輸出導(dǎo)通壓降


Vf1

vtm

0-10V

+-10V


1%+FullRange0.5%+-5

0-10V

+-10V


1%+FullRange0.5%+-10



0-400ma



1%+FullRange0.5%+-20




vih






ih






IL






C_vtm






· 繼電器光耦

測(cè)試參數(shù)

符號(hào)

量程

測(cè)試范圍

測(cè)試條件

測(cè)量精度

輸入正向?qū)▔航?/span>

Vf1

0-10V

+-10V

0-4A

1%+FullRange0.1%+-2mV

反向擊穿電壓（耐壓）

VL1

VL2


1

+-1V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-1mV

2

+-10V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-2mV



3

+-100V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-20mV



4

+-1000V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-200mV



5

+-2000V

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-2V



反向漏電流

Ir1

Ir2

1

+-100nA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-7nA

2

+-1uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



3

+-10uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



4

+-100uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-30nA



5

+-1mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-300nA



6

+-10mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-3uA



7

+-100mA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-30uA



輸出導(dǎo)通內(nèi)阻

ROn1

ROn2

0-10V

+-10V

0-40A

1%+FullRange0.1%+-2mV

輸入輸出電流傳輸比


2

600


1%+FullRange0.5%+-5

3

6000


1%+FullRange0.5%+-10



4

60000


1%+FullRange0.5%+-20



























2、二極管類測(cè)試

· 二極管類：二極管

· Diode

· Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf ，△Vf ，△Vrrm ，Tr（選配）；

二極管類：穩(wěn)壓二極管

· ZD（Zener Diode）

· Kelvin ，Vz ，lr ，Vf ，△Vf ，△Vz ；

二極管類：穩(wěn)壓二極管

· ZD（Zener Diode）

· Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz；

二極管類：三端肖特基二極管 SBD（SchottkyBarrierDiode）

· Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm；

二極管類： 瞬態(tài)二極管

· TVS

· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm  ；

二極管類：整流橋堆

· Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

二極管類：三相整流橋堆

· Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm；

測(cè)試參數(shù)

符號(hào)

量程

測(cè)試范圍

測(cè)試條件

測(cè)量精度

正向?qū)▔航?/span>

VF1 VF2 VF3 VF4 VF5  VF6

0-10V

+-10V

0-40A（選配）

0-100A(標(biāo)配)

0-200A（選配）

0-300A（選配）

0.5%+FullRange0.1%+-2mV

反向擊穿電壓（耐壓）

Vrrm1 Vrrrm2 Vrrrm3 Vrrm4 Vrrm5  Vrrm6

1

+-1V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-1mV

2

+-10V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-2mV



3

+-100V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-20mV



4

+-1000V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-200mV



5

+-2000V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-2V



反向漏電流

Irrm1 Irrm2 Irrm3 Irrm4 Irrm5  Irrm6

1

+-100nA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-5nA

2

+-1uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



3

+-10uA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-10nA



4

+-100uA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-30nA



5

+-1mA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-300nA



6

+-10mA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-3uA



7

+-100mA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-30uA


























3、壓敏電阻測(cè)試

· Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm  、 △Vr ;（參數(shù)配置精度與二極管一致）

測(cè)試參數(shù)

符號(hào)

量程

測(cè)試范圍

測(cè)試條件

測(cè)量精度

正向?qū)▔航?/span>

VF1 VF2 VF3 VF4 VF5  VF6

0-10V

+-10V

0-40A（選配）

0-100A(標(biāo)配)

0-200A（選配）

0-300A（選配）

0.5%+FullRange0.1%+-2mV

壓敏電壓（1mA）

Vrrm1 Vrrrm2 Vrrrm3 Vrrm4 Vrrm5  Vrrm6

1

+-1V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-1mV

2

+-10V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-2mV



3

+-100V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-20mV



4

+-1000V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-200mV



5

+-2000V

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-2V



反向漏電流

Irrm1 Irrm2 Irrm3 Irrm4 Irrm5  Irrm6

1

+-100nA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-5nA

2

+-1uA

0-2000V

1%+FullRange0.1%+-10nA



3

+-10uA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-10nA



4

+-100uA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-30nA



5

+-1mA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-300nA



6

+-10mA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-3uA



7

+-100mA

0-2000V

0.5%+FullRange0.1%+-30uA


























4、鋰亞電池測(cè)試

· Kelvin(0~150mV)

· 電池空載電壓（Vbt）  0-100V  +-0.2%

· 負(fù)載電壓(Vbt_load )   0-100V  +-0.5%  測(cè)試電流（0-10A 恒流 ）

· 負(fù)載電壓變化值（▲Vbt_load）0-10v +-5% 測(cè)試電流（0-10A 恒流 ）

· 電池內(nèi)阻(Vbt Res)  0-10v +-5%  測(cè)試電流（0-10A 脈沖 ）

5、晶振測(cè)試

· 震蕩頻率(Freq_osc )

· 諧振電阻（Ri）

· 頻率精度(Freq_ppm)

· 測(cè)試頻率范圍（10kHz~10MHz）

測(cè)試參數(shù)

符號(hào)

量程

測(cè)試范圍

測(cè)試條件

測(cè)量精度

震蕩頻率

Fosc

10kHz~100kHz

100kHz~1MHz

1MHz~5MHz

5MHz~10MHz

10kHz~10MHz


0.1Hz

諧振電阻

Rz

0~100K



±10%

頻率精度

ppm


0-1000


0.01%






三、參數(shù)配置與性能指標(biāo)

1. 電流/電壓源 VIS自帶VI測(cè)量單元

1）加壓（FV）

量程

分辨率

精度

±40V

19.5mV

± 1%設(shè)定值+FullRange0.1%± 19.5mV

±20V

10mV

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10mV

±10V

5mV

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±5mV

±5V

2mV

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV

±2V

1mV

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mV







2)加流(FI)：

量程

分辨率

精度

±100A

195mA

±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±100mA

±40A

19.5mA

±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±30mA

±4A

1.95mA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2mA

±400mA

119.5uA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200uA

±40mA

11.95uA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20uA

±4mA

195nA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA

±400uA

19.5nA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA

±40uA

1.95nA

±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2nA

說明：電流大于1.5A自動(dòng)轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出，脈寬范圍：300us-1000us可調(diào)

3). 電流測(cè)量(MI)

量程

分辨率

精度

±100A

12.2mA

±5% 讀數(shù)值+FullRange0.2%±100mA

±40A

1.22mA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mA

±4A

122uA

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mA

±400mA

12.2uA

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uA

±40mA

1.22uA

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uA

±4mA

122nA

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2uA

±400uA

12.2nA

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200nA

±40uA

1.22nA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20nA









4). 電壓測(cè)量(MV)

量程

分辨率

精度

±40V

1.22mV

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV

±20V

122uV

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV

±10V

12.2uV

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV

±5V

1.22uV

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV










2. 數(shù)據(jù)采集部分 VM    （16位ADC，100K/S采樣速率）

1). 電壓測(cè)量(MV)

量程

分辨率

精度

±2000V

1.22mV

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20mV

±100V

122uV

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±2mV

±10V

12.2uV

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±200uV

±1V

1.22uV

±0.5% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±20uV






2). 漏電流測(cè)量(MI)

量程

分辨率

精度

±100mA

30uA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30uA

±10mA

3uA

±1%   讀數(shù)值+FullRange0.1%±3uA

±1mA

300nA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±300nA

±100uA

30nA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±30nA

±10uA

3nA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA

±1uA

300pA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±10nA

±100nA

30pA

±1% 讀數(shù)值+FullRange0.1%±5nA














3. 高壓源  HVS(基本)16位DAC

1).加壓(FV)

量程

分辨率

精度

2000V/10mA

30.5mV

±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV

200V/10mA

30.5mV

±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV

40V/50mA

30.5mV

±0.5% 設(shè)定值+FullRange0.1%±500mV









2).加流(FI)：

量程

分辨率

精度

10mA

4.88uA

±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10uA

2mA

488nA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±2uA

200uA

48.8nA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±200nA

20uA

4.88nA

±1% 設(shè)定值+FullRange0.1%±20nA

2uA

488pA

±2% 設(shè)定值+FullRange0.1%±10nA









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