1 產(chǎn)品概述:

      Riber分子束外延（MBE）系統(tǒng)是一款在半導體及光電子領域廣泛應用的先進設備，以其高精度、高純度和低溫生長的特點而著稱。該系統(tǒng)能夠在超高真空環(huán)境下，通過精確控制分子束的流量和速度，實現(xiàn)原子層級的材料沉積，從而生長出具有優(yōu)異性能的薄膜材料。Riber公司其MBE系統(tǒng)涵蓋了多種型號，如MBE 6000-Multi和4英寸中試生產(chǎn)系統(tǒng)等，以滿足不同規(guī)模和需求的生產(chǎn)場景。

2 設備用途：

1. 半導體制造：Riber MBE系統(tǒng)可用于生長高質(zhì)量的半導體材料，如GaAs、InP、GaN等，這些材料是制造晶體管、二極管、激光器等微電子器件的關(guān)鍵。通過MBE技術(shù)，可以精確控制材料的組分、厚度和界面結(jié)構(gòu)，從而優(yōu)化器件的性能。

2. 光電子器件：在光電子領域，Riber      MBE系統(tǒng)可用于制造太陽能電池、LED、光電探測器等器件。利用MBE技術(shù)生長的量子點等結(jié)構(gòu)，可以顯著提升這些器件的光電轉(zhuǎn)換效率和性能穩(wěn)定性。

3. 量子點研究：MBE系統(tǒng)還廣泛應用于量子點的研究和生產(chǎn)中。量子點是一種具有光電特性的納米材料，通過MBE技術(shù)可以精確控制其尺寸、形狀和組分，從而制備出性能優(yōu)異的量子點材料。

4. 超導金屬：Riber MBE系統(tǒng)還可用于生長超導金屬材料。超導金屬具有超精確的尺寸控制和電子在其中不受干擾地流動的特性，是制造超導器件和量子計算等前沿技術(shù)的重要材料。

3 設備特點

  高精度沉積：Riber MBE系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)原子層級的材料沉積控制，確保薄膜的高質(zhì)量和均勻性。這種高精度沉積能力使得MBE系統(tǒng)在制造高性能微電子和光電子器件方面具有優(yōu)勢。

  高真空環(huán)境：系統(tǒng)配備先進的真空系統(tǒng)，提供超高真空環(huán)境，有效減少雜質(zhì)和污染，保證晶體沉積的純度和質(zhì)量。

  低溫生長：MBE技術(shù)采用低溫生長方式，有效避免界面原子的互擴散和缺陷的形成，從而生長出高質(zhì)量的薄膜材料。

  多源端口設計：部分型號如4英寸中試生產(chǎn)系統(tǒng)可配備多個源端口，以滿足不同材料的沉積需求，有助于生長復雜的半導體結(jié)構(gòu)。

4 技術(shù)參數(shù)和特點：

• 襯底尺寸：3 英寸、4 英寸、6 英寸、200 毫米

• 外延生長：可實現(xiàn)原子的表面平整度且界面陡峭的超薄層沉積，以及合金組分或摻雜原子縱向濃度梯度可調(diào)等。

• 真空系統(tǒng)：提供高真空環(huán)境，減少雜質(zhì)和污染，保證晶體沉積的純度和質(zhì)量。

• 溫度控制：生長溫度低，有效避免界面原子的互擴散。