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薄膜沉積設(shè)備解析——PECVD設(shè)備的原理和應(yīng)用
薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。用來鍍膜的這個設(shè)備就叫薄膜沉積設(shè)備。
從半導(dǎo)體芯片制作工藝流程來說，位于前道工藝中。
薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類：物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積（CVD），其中CVD工藝設(shè)備占比更高。
物理氣相沉積（PVD）指將材料源表面氣化并通過低壓氣體/等離子體在基體表面沉積，包括蒸發(fā)、濺射、離子束等；
化學(xué)氣相沉積(CVD)是指通過氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工藝，根據(jù)反應(yīng)條件（壓強、前驅(qū)體）的不同又分為常壓CVD（APCVD）、低壓CVD（LPCVD）、等離子體增強CVD(PECVD)、高密度等離子體CVD（HDPCVD）和原子層沉積（ALD）。
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