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TXRF 3760半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku反射熒光X射線分析儀
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產(chǎn)品簡介
價格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,綜合
半導(dǎo)體設(shè)備TXRF 3760理學(xué)Rigaku反射熒光X射線分析儀
半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku反射熒光X射線分析儀

采用轉(zhuǎn)子式高輸出X射線發(fā)生器和新設(shè)計的入射X射線單色儀。
使用直接TXRF測量方法實現(xiàn)了10 8 原子/cm 2的過渡金屬LLD水平。 它可實現(xiàn)相同的精度和高通量,測量時間僅為封閉式 X 射線管的 1/3。
產(chǎn)品介紹

半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku反射熒光X射線分析儀

半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku反射熒光X射線分析儀


TXRF 3760 概述

采用1靶3光束方式

方法使用三種類型的光譜晶體來提取適合待測量元素的單色 X 射線束,并用它來激發(fā)污染物元素。 用于測量輕元素的W-Mα射線不會激發(fā)Si,因此可以分析Na、Mg和Al。從Na到U連續(xù)進(jìn)行高精度自動分析。

通過消除衍射輻射,最大限度地減少散射輻射的影響

采用抑制高次反射的光學(xué)系統(tǒng)和 XY-θ 驅(qū)動臺,X 射線入射方向自動選擇功能消除了來自基板的衍射線,并可在散射線干擾最小的情況下實現(xiàn)高信噪比測量。 可以對整個晶圓表面進(jìn)行精確且高精度的微量分析。

可將坐標(biāo)與異物檢查坐標(biāo)數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)

通過將異物檢查裝置的坐標(biāo)數(shù)據(jù)導(dǎo)入TXRF裝置,可以分析存在顆粒的位置的污染元素。 滴水軌跡搜索功能采用的算法,需要快速、準(zhǔn)確的坐標(biāo)。

高速晶圓內(nèi)污染篩查“Sweeping-TXRF功能"

可以使用Sweeping-TXRF方法,該方法使用直接TXRF方法在晶圓表面上進(jìn)行高速測量,以揭示污染物元素的分布。 可以在短時間內(nèi)對整個晶圓表面進(jìn)行污染分析,而傳統(tǒng)的代表性坐標(biāo)測量(例如表面內(nèi)的 5 或 9 個點)無法檢測到這種情況。只需30分鐘即可完成200mm晶圓整個表面5×10 10 個原子/cm 2的污染檢測。除了污染元素的分布外,還可以通過對整個表面的測量值進(jìn)行積分來計算晶片表面內(nèi)的平均污染濃度。

邊緣排除 0mm 無損、非接觸式污染測量“ZEE-TXRF 功能"

我們實現(xiàn)了晶圓邊緣附近的高靈敏度測量,這是以前使用 TXRF 方法無法測量的。 現(xiàn)在可以使用 TXRF 對污染集中的邊緣區(qū)域進(jìn)行污染分析。

兼容各種CIM/FA

可與上位機進(jìn)行SECS通信,并兼容各種CIM/FA。 除了開放式盒式磁帶外,它還兼容 SMIF POD(可選)。


TXRF 3760 特點

這是一種采用全內(nèi)反射熒光X射線法以非破壞性、非接觸方式高靈敏度分析晶圓表面污染物的裝置。它與 ~200mm 晶圓兼容,可以分析從輕元素 Na 到重元素 U 的極少量污染元素。采用載物臺驅(qū)動系統(tǒng),消除晶圓衍射 X 射線的干擾。可以進(jìn)行準(zhǔn)確且高精度的污染物元素分析。搭載可進(jìn)行晶圓表面內(nèi)的高速污染映射測量的“Sweeping-TXRF功能"、可進(jìn)行晶圓邊緣附近測量的“ZEE-TXRF功能"等多種功能,可提供強大的污染檢測能力我們?yōu)槟峁┌雽?dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)工藝和工藝開發(fā)的控制。

TXRF 3760 規(guī)格

產(chǎn)品名稱TXRF 3760
方法全內(nèi)反射 X 射線熒光 (TXRF)
目的從 Na 到 U 的元素分析來測量晶圓污染
技術(shù)帶無液氮檢測器的 3 束 TXRF 系統(tǒng)
主要部件適用于最大 200 mm 晶圓的 XYθ 樣品臺系統(tǒng)、真空晶圓機器人傳輸系統(tǒng)、ECS/GEM 通信軟件
選項Sweep TXRF 軟件(允許繪制晶圓表面污染物分布圖以識別“熱點";ZEE-TXRF 功能允許進(jìn)行零邊緣排除的測量)
控制(電腦)內(nèi)部 PC、MS Windows® 操作系統(tǒng)
機身尺寸1000(寬)×1760(高)×948(深)毫米
大量的100公斤(本體)
電源三相 200 VAC 50/60 Hz,100 A





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