目錄:筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>MCT碲鎘汞探測(cè)器>> 2-12um , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 PVMI-3TE系列
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更新時(shí)間：2024-12-05 19:43:45瀏覽次數(shù)：898評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
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2-12um , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 PVMI-3TE系列
PVMI-3TE-8及PVMI-3TE-10.6等系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)TE冷卻紅外多結(jié)光伏探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒(méi)的方式改善器件的參數(shù)，以達(dá)到優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt入射時(shí)性能佳。這是一款特別適用于在2 ~ 12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大感光面探測(cè)器。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應(yīng)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
● 可探測(cè)中紅外波段范圍2-12μm
● 帶有三級(jí)TE冷卻，顯著提高探測(cè)器性能
● 可配專(zhuān)用前置放大器
● 帶有抗反射涂層窗口鏡
產(chǎn)品應(yīng)用
● 醫(yī)學(xué)熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外氣體吸收檢測(cè)
● 中紅外激光探測(cè)
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) | |
PVMI-3TE-8 | PVMI-3TE-10.6 | |
有源元件材料 | 外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu) | |
最佳波長(zhǎng)λopt（μm） | 8 | 10.6 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | ≥4×109 | ≥2×109 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W | ≥3×109 | ≥1.5×109 |
電流響應(yīng)度-光敏面長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W | ≥0.15 | ≥0.1 |
時(shí)間常數(shù)T，ns | ≤4 | ≤3 |
電阻R,Ω | 200-1500 | 100-400 |
元件工作溫度Tdet,K | ~210 | |
感光面尺寸A,mm×mm | 1×1 | |
封裝 | TO8，TO66 | |
接收角Φ | ～36° | |
窗口 | wZnSeAR | |
TO8封裝外形及尺寸
4TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號(hào) |
探測(cè)器 | 1,3 |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應(yīng) | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4,5,6,10,12 |
4TE-TO66封裝外形及尺寸
4TE-TO66引腳定義
功能 | 引腳編號(hào) |
探測(cè)器 | 7,8 |
熱敏電阻 | 5,6 |
TE致冷供給 | 1（+），9（-） |
未使用 | 2,3,4 |
探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線
熱敏電阻特性曲線
三級(jí)TE冷卻參數(shù)表
參量 | 數(shù)值 |
Tdet , K | ~210 |
Vmax , V | 3.6 |
Imax , A | 0.45 |
Qmax , W | 0.27 |
抗反射涂層窗口光譜透過(guò)率曲線
2-12um , MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 PVMI-3TE系列
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