目錄:筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb>> 2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測(cè)器
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更新時(shí)間：2024-12-04 09:49:25瀏覽次數(shù)：1028評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
|---|
PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器,通過光學(xué)浸沒來提升探測(cè)器的性能。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。
● 可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm
● 可配專用前置放大器
● 高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒，提升探測(cè)器的性能
TO8型封裝外形尺寸圖
透鏡參數(shù)
參量 | 數(shù)值 |
浸沒微型透鏡形狀 | 超半球形 |
光學(xué)區(qū)域面積AO, mm×mm | 1×1 |
R,mm | 0.8 |
A,mm | 2.4±0.20 |
?—接收角度；
R—超半球微型透鏡半徑
A—超半球微型透鏡底部與焦平面的距離
引腳定義
功能 | 引腳號(hào) |
探測(cè)器 | 1（-）,2（+） |
接地 | 3 |
● 熱成像
● FTIR光譜學(xué)
● 激光外差探測(cè)
● 中紅外氣體分析
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) | |
PVIA-3 | PVIA-5 | |
有源元件材料 | 外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu) | 外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu) |
波長(zhǎng)λopt（μm） | 2.15±0.2 | 2.3±0.2 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | 2.95±0.3 | 4.7±0.3 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W | 3.5±0.2 | 5.5±0.2 |
電流響應(yīng)度-光敏面長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W | ≥5×1010 | ≥5×109 |
時(shí)間常數(shù)T，ns | ≥1.3 | ≥1.3 |
電阻R,Ω | ≤20 | ≤15 |
元件工作溫度Tdet,K | ≥2K | |
感光面尺寸A,mm×mm | 1×1 | |
封裝 | TO39 | |
接收角Φ | ～36° | |
窗口 | 無 | |
探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
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