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目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測器>>MCT碲鎘汞探測器>> MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器

MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器
  • MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 所在地 上海
屬性

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更新時間:2024-12-04 09:30:53瀏覽次數(shù):1212評價

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產(chǎn)地類別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,能源,建材/家具,電子/電池
2-12μm ,MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-4TE系列具有好的性能和穩(wěn)定性,同時采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時具有好性能。起始波長可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。

PVI-4TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級熱電冷卻紅外光探測器,具有好的性能和穩(wěn)定性,同時采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時具有性能。起始波長可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

產(chǎn)品特點

含有四級TE制冷以提高探測器性能

可探測中紅外波長范圍2-12μm

可配專用前置放大器

1mm×1mm大尺寸光敏面

帶有抗反射涂層窗口鏡

帶有超半球微型砷化鎵透鏡實現(xiàn)光學(xué)浸沒,有效提升探測效率

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

7.png

參量

數(shù)值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

0.5×0.5

1×1

R,mm

0.5

0.8

A,mm

7.3±0.4

6.4±0.4

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—4TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


2TE-TO8引腳定義

功能

PIN號

探測器

1,3

反向偏壓(可選)

1(-),3(+)

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應(yīng)

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12


4TE-TO66封裝尺寸圖

88.jpg

參量

數(shù)值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

0.5×0.5

1×1

R,mm

0.5

0.8

A,mm

8.35±0.4

7.45±0.4

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—4TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


TO66引腳定義

功能

PIN號

探測器

7,8

反向偏壓(可選)

7(-),8(+)

熱敏電阻

5,6

TE冷卻器供應(yīng)

1(+),9(-)

未使用

2,3,4

產(chǎn)品應(yīng)用

醫(yī)學(xué)熱成像

紅外光譜分析

中紅外氣體吸收檢測

中紅外激光探測

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)

探測器型號

PVI-4TE-3

PVI-4TE-3.4

PVI-4TE-4

PVI-4TE-5

PVI-4TE-6

PVI-4TE-8

PVI-4TE-10.6

有源元件材料

外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)


最佳波長λopt,μm

3

3.4

4

5

6

8

10.6

探測靈敏度D*(λpeak),cm·Hz?/w

≥1×1012

≥8×1011

≥6×1011

≥3×1011

≥8×1010

≥5×109

≥4×109

探測靈敏度D*(λopt),cm·Hz?/W

≥8×1011

≥7×1011

≥4×1011

≥1×1011

≥6×1010

≥4×109

≥2×109

電流響應(yīng)度Ri(λopt),A/W

≥0.5

≥0.8

≥1.0

≥1.3

≥1.5

≥0.5

時間常數(shù)T,ns

280

200

≤100

≤80

≤50

≤45

≤25

電阻-感光元件面積乘積R·AO,Ω·cm2

≥30000

≥2000

≥800

≥40

≥3

≥0.06

≥0.05

有源元件溫度Tdet,K

~195

感光面面積AO,mm×mm

0.5×0.5,1×1

封裝

TO8,TO66

接收角Φ

~36°

窗口

wAl2O3

wZnSeAR


探測器光譜響應(yīng)特性曲線

PVI-4TE.jpeg

熱敏電阻特性曲線

PV-2TE1.jpeg

四級TE冷卻參數(shù)表

參量

數(shù)值

Tdet , K

~195

Vmax , V

8.3

Imax , A

0.4

Qmax , W

0.28


抗反射涂層窗口光譜透過率曲線

PV-2TE2.jpeg




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