目錄:筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb>> 2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光伏探測(cè)器
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更新時(shí)間：2024-12-04 09:12:07瀏覽次數(shù)：994評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
|---|
PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的兩級(jí)TE冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍(lán)寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。
● 可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm
● 采用兩級(jí)TE冷卻有效提高探測(cè)效率
● 可配專(zhuān)用前置放大器
● 高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性
TO8型封裝外形尺寸圖
2TE-TO8引腳定義
功能 | PIN號(hào) |
探測(cè)器 | 1,3 |
反向偏壓（可選） | 1（-）,3（+） |
熱敏電阻 | 7,9 |
TE冷卻器供應(yīng) | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4，5，6，10，12 |
● 醫(yī)學(xué)熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外激光探測(cè)
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) | |
PVA-2TE-3 | PVA-2TE-5 | |
有源元件材料 | 外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu) | 外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu) |
起始波長(zhǎng)λcut-on (10%), μm | 2.1±0.2 | 2.4±0.2 |
峰值波長(zhǎng)λpeak（μm） | 2.9±0.3 | 4.7±0.3 |
截止波長(zhǎng)λcut-off (10%), μm | 3.4±0.2 | 5.5±0.2 |
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W | ≥5×1010 | ≥4×109 |
電流響應(yīng)度Ri(λpeak),A/W | ≥1.3 | ≥1.5 |
時(shí)間常數(shù)T，ns | ≤15 | ≤20 |
電阻R,Ω | ≥200K | ≥1K |
元件工作溫度Tdet,K | ~230 | |
感光面尺寸A,mm×mm | 0.1×0.1 | |
封裝 | TO8 | |
接收角Φ | ～70° | |
窗口 | wAl2O3 | |
探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線(xiàn)
熱敏電阻特性曲線(xiàn)
兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表
參量 | 數(shù)值 |
Tdet , K | ~230 |
Vmax , V | 1.3 |
Imax , A | 1.2 |
Qmax , W | 0.36 |
抗反射涂層窗口光譜透過(guò)率曲線(xiàn)
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
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