武漢科思特電化學(xué)工作站CS350M采用全浮地式設(shè)計，具有出色的穩(wěn)定性和度，*硬件和 功能完善的軟件，為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了的科 研平臺。應(yīng)用領(lǐng)域包括：

（1）能源材料（鋰離子電池、太陽 能電池、燃料動力電池和超級電容器等） *功能材料以及傳感器的性能研究；

（2）電化學(xué)分析研究；

（3）電合成、電沉積（電鍍）、陽 氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；

（4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐 蝕性評價；

（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評價。

武漢科思特電化學(xué)工作站CS350M主要技術(shù)指標(biāo)：

1、硬件參數(shù)指標(biāo)

恒電位電位控制范圍：±10V

恒電流控制范圍：±2.0A

電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV

電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)

電位分辨率：10?V(>100Hz), 3?V(<10Hz)

電流靈敏度：1pA

電位上升時間：<1?S(<10mA),<10?S(<2A)

參比電輸入阻抗：1012?||20pF

電流量程：2nA～2 A ， 共 10 檔

槽壓：±21V

大輸出電流：2.0A CV 和LSV

掃描速度：0.001mV～10000V/s

CA 和 CC 脈沖寬度：0.0001～65000s

電流掃描增量：1mA @1A/mS

電位掃描時電位增量：0.076mV @1V/mS SWV

頻率：0.001～100KHz DPV 和 NPV

脈沖寬度：0.0001～1000s

AD數(shù)據(jù)采集：16bit@3.6MHz,20bit@1KHz DA

分辨率：16bit,

建立時間：1?S

CV 的小電位增量：0.020mV IMP

頻率：10?Hz~1MHz

低通濾波器：8 段可編程

電流與電位量程：自動設(shè)置

接口通訊模式：USB2.0、RJ45 網(wǎng)口

2、電化學(xué)阻抗功能指標(biāo)

信號發(fā)生器：

頻率響應(yīng)：10?Hz~1MHz

頻率度：0.005%

交流信號幅值：1mV~2500mV

信號分辨率：0.1mV RMS

直流偏壓：-10~+10V DDS

輸出阻抗：50?

波形：正弦波，三角波，方波

正弦波失真：<1%

掃描方式：對數(shù)/線性，增加/下降

信號分析器：

小積分時間：10mS 或循環(huán)的長時間

大積分時間：106個循環(huán)或者 105S

測量時間延遲：0~105秒

直流偏置補(bǔ)償：

電位自動補(bǔ)償范圍：-10V~+10V

電流補(bǔ)償范圍：-1A~+1A

帶寬調(diào)整(Bandwidth) ： 自動或手動設(shè)置，共 8 級可調(diào)

3、儀器功能方法：

穩(wěn)態(tài)化：開路電位測量（OCP）、恒電位化（I-t 曲線)、恒電流化、動電位掃描（TAFEL 曲線）、動電流掃描（DGP）、電位掃描-階躍

暫態(tài)化：任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、恒電位階躍（VSTEP）、恒電流階躍

計時分析：計時電位法（CP）、計時電流法（CA）、計時電量法（CC）

伏安分析：線性掃描伏安法（LSV）#、線性循環(huán)伏安法（CV）、階梯循環(huán)伏安法（SCV）#、 方波伏安法（SWV）#、差分脈沖伏安法（DPV）#、常規(guī)脈沖伏安法（NPV）#、 常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV）#、差分脈沖電流檢測法（DPA）、雙差分脈沖電 流檢測法（DDPA）、三脈沖電流檢測法（TPA）、積分脈沖電流檢測法（IPAD）、 交流伏安法（ACV）#、二次諧波交流伏安（SHACV）、傅里葉變換交流伏安 （FTACV）（標(biāo)#號的方法包括相應(yīng)的溶出伏安分析方法）

交流阻抗：電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描、電化學(xué)阻抗（EIS）～時間掃描、電化學(xué)阻抗 （EIS）～電位掃描（Mott-Schottky 曲線）、恒電流阻抗測試

充放電測試：電池充放電、恒電流充放電、恒電位充放電、恒電流間歇滴定 GITT、恒電位 間歇滴定 PITT

擴(kuò)展測量：電化學(xué)噪聲（EN）、電偶腐蝕測量（ZRA）、電化學(xué)溶解/沉積、控制電位電解 庫侖法（BE）、溶液電阻測量、循環(huán)化曲線

4、儀器配置：

1）儀器主機(jī) 1 臺

2）測試與分析軟件 1 套

3）電源線/USB 數(shù)據(jù)線/電電纜線各 1 條

4）模擬電解池 1 個