您好, 歡迎來(lái)到化工儀器網(wǎng)
產(chǎn)品分類(lèi)品牌分類(lèi)
-
酒廠防爆燈 面粉廠LED防爆燈 BFC8183 GB8035防爆燈 180WLED防爆燈 120WLED防爆燈 100WLED防爆燈 80WLED防爆燈 70WLED防爆燈 60WLED防爆燈 50WLED防爆燈 40WLED防爆燈 30WLED防爆燈 20WLED防爆燈 10WLED防爆燈 工廠防爆應(yīng)急燈 車(chē)間LED工礦燈 工廠直銷(xiāo)LED防爆燈 200WLED防爆燈 150WLED防爆燈 防爆照明燈具 廠用防爆燈具 LED防爆投光燈 LED防爆泛光燈 LED工礦燈 LED防爆燈 防爆燈 紫光型號(hào)同款LED防爆燈 防爆燈外殼套件 LED三防燈具 工廠防爆燈 LED防爆平臺(tái)燈 LED防爆道路燈 免維護(hù)LED防爆燈 防爆應(yīng)急燈 電廠LED防爆燈 吊裝LED防爆燈 加油站LED防爆燈 隔爆型LED防爆燈 工廠廠房LED防爆燈 20W-500WLED防爆燈
提高LED防爆燈發(fā)光效率的十個(gè)技術(shù)點(diǎn)
一、什么是LED防爆燈的發(fā)光效率？
LED防爆燈的發(fā)光效率就是指電光源的光視效能以消耗1W電功率產(chǎn)生多少流明光通量，也就是光通量與功率的比值，單位是流/瓦(1m/W)。一般的要求發(fā)光效率越高越好。不斷完善LED防爆燈的發(fā)光效率，可以提高光輸出強(qiáng)度，使資源的利用率變得更高。通常LED防爆燈廠家都是通過(guò)LED燈的原理來(lái)提高等的發(fā)光效率，就像下面這幾種一樣：
1、利用電極優(yōu)化或電子晶體等來(lái)改善器件GaNLED電流的擴(kuò)展特性；
2、提高電流分布的均勻性；
3、減少電流的聚集效應(yīng)；
4、通過(guò)實(shí)現(xiàn)提高芯片的出光效率和轉(zhuǎn)化效率，提高器件爹光電效應(yīng)，提升產(chǎn)品的性能。
二、提高LED防爆燈發(fā)光效率的具體措施介紹：
1、LED防爆燈的燈珠晶粒外形的改變：改變LED防爆燈的矩形外觀形狀是一個(gè)有效提升發(fā)光效率的方法?？梢愿鶕?jù)光學(xué)原理去改。
2、LED防爆燈表面粗話技術(shù)：將組件的內(nèi)部以及外部的幾何形狀粗比，破壞光線在組件內(nèi)部的全反射，提升組件的使用效率。粗化方法基本上是在組件的幾何形狀上形成規(guī)則的凹凸形狀，而這種規(guī)則分布的結(jié)構(gòu)也依所在位置的不同分成了兩種形式，一種是在組件內(nèi)設(shè)置凹凸形狀，另一種方式是在組件上方制作規(guī)則的凹凸形狀，并在組件背面設(shè)置反射層。目前若使用波長(zhǎng)為405nm的紫外組件，可多得43%外部量子效率，取出效率為60%。是目前位置的外部量子效率與取出效率。
3、LED防爆燈芯片黏貼技術(shù)：是為了減少GaAs基板對(duì)LED所放出光線的吸收，部分研究機(jī)構(gòu)提出透明基板是粘貼技術(shù)。這也是LED燈芯片的研究方向之一。
4、LED防爆燈覆晶封裝技術(shù)：用FlipChip結(jié)構(gòu)代替藍(lán)寶毛基板的GaN系列的材料即將傳統(tǒng)的組件反置，并在p型電極上方制作反射率較高的反射層，藉以將原先從組件上方發(fā)出的光線從組件其它的發(fā)光角度導(dǎo)出，而由藍(lán)寶石基板端緣取光。這樣的方法因?yàn)榻档土嗽陔姌O側(cè)的光損耗，可有接近于傳統(tǒng)封裝方式兩倍左右的光量輸出。另一方面，因?yàn)楦簿ЫY(jié)構(gòu)可直接藉由電極或是凸塊與封裝結(jié)構(gòu)中的散熱結(jié)構(gòu)直接接觸，而大幅提升組件的散熱效果，進(jìn)一步提升組件的光通量。
5、LED防爆燈透明襯底技術(shù)：去除GaAs襯底，代之于全透明的GaP晶體。由于芯片內(nèi)除去了襯底吸收區(qū)，使量子效率從4%提升到了25‐30%。為進(jìn)一步減小電極區(qū)的吸收，有人將這種透明襯底型的InGaAlP器件制作成截角倒錐體的外形，使量子效率有了更大的提高。
6、LED防爆燈金屬膜反射技術(shù)：即MB制程，首先去除GaAs襯底，然后在其表面與Si基底表面同時(shí)蒸鍍Al質(zhì)金屬膜，然后在一定的溫度與壓力下熔接在一起。如此，從發(fā)光層照射到基板的光線被Al質(zhì)金屬膜層反射至芯片表面，從而使器件的發(fā)光效率提高2.5倍以上。
7、LED防爆燈表面微結(jié)構(gòu)技術(shù)：表面微結(jié)構(gòu)制程是提高器件出光效率的又一個(gè)有效技術(shù)，該技術(shù)的基本要點(diǎn)是在芯片表面刻蝕大量尺寸為光波長(zhǎng)量級(jí)的小結(jié)構(gòu)，每個(gè)結(jié)構(gòu)呈截角四面體狀，如此不但擴(kuò)展了出光面積，而且改變了光在芯片表面處的折射方向，從而使透光效率明顯提高。測(cè)量指出，對(duì)于窗口層厚度為20μm的器件，出光效率可增長(zhǎng)30%。當(dāng)窗口層厚度減至10μm時(shí)，出光效率將有60%的改進(jìn)。對(duì)于585‐625nm波長(zhǎng)的LED器件，制作紋理結(jié)構(gòu)后，發(fā)光效率可達(dá)30lm/w，其值已接近透明襯底器件的水平。
8、LED防爆燈倒裝芯片技術(shù)：通過(guò)MOCVD技術(shù)在蘭寶石襯底上生長(zhǎng)GaN基LED結(jié)構(gòu)層，由P/N結(jié)發(fā)光區(qū)發(fā)出的光透過(guò)上面的P型區(qū)射出。由于P型GaN傳導(dǎo)性能不佳，為獲得良好的電流擴(kuò)展，需要通過(guò)蒸鍍技術(shù)在P區(qū)表面形成一層Ni‐Au組成的金屬電極層。P區(qū)引線通過(guò)該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴(kuò)展，Ni‐Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發(fā)光效率就會(huì)受到很大影響，通常要同時(shí)兼顧電流擴(kuò)展與出光效率二個(gè)因素。但無(wú)論在什么情況下，金屬薄膜的存在，總會(huì)使透光性能變差。此外，引線焊點(diǎn)的存在也使器件的出光效率受到影響。采用GaNLED倒裝芯片的結(jié)構(gòu)可以從根本上消除金屬薄膜透光性能差，發(fā)光效率差的現(xiàn)象。
9、LED防爆燈芯片鍵合技術(shù)：隨著對(duì)鍵合機(jī)理的逐漸認(rèn)識(shí)和鍵合制程技術(shù)的逐漸成熟，多種不同材料的芯片之間已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)互相鍵合，從而可能形成一些特殊用途的材料和器件。如在硅片上形成硅化物層再進(jìn)行鍵合就可以形成一種新的結(jié)構(gòu)。由于硅化物的電導(dǎo)率很高，因此可以代替雙極型器件中的隱埋層，從而減小RC常數(shù)。
10、LED防爆燈激光剝離技術(shù)：激光剝離技術(shù)(LLO)是利用激光能量分解GaN/藍(lán)寶石接口處的GaN緩沖層，從而實(shí)現(xiàn)LED外延片從藍(lán)寶石襯底分離。技術(shù)優(yōu)點(diǎn)是外延片轉(zhuǎn)移到高熱導(dǎo)率的熱沉上，能夠改善大尺寸芯片中電流擴(kuò)展。n面為出光面