您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)
產(chǎn)品分類品牌分類
-
酒廠防爆燈 面粉廠LED防爆燈 BFC8183 GB8035防爆燈 180WLED防爆燈 120WLED防爆燈 100WLED防爆燈 80WLED防爆燈 70WLED防爆燈 60WLED防爆燈 50WLED防爆燈 40WLED防爆燈 30WLED防爆燈 20WLED防爆燈 10WLED防爆燈 工廠防爆應(yīng)急燈 車間LED工礦燈 工廠直銷LED防爆燈 200WLED防爆燈 150WLED防爆燈 防爆照明燈具 廠用防爆燈具 LED防爆投光燈 LED防爆泛光燈 LED工礦燈 LED防爆燈 防爆燈 紫光型號同款LED防爆燈 防爆燈外殼套件 LED三防燈具 工廠防爆燈 LED防爆平臺燈 LED防爆道路燈 免維護(hù)LED防爆燈 防爆應(yīng)急燈 電廠LED防爆燈 吊裝LED防爆燈 加油站LED防爆燈 隔爆型LED防爆燈 工廠廠房LED防爆燈 20W-500WLED防爆燈
LED芯片技術(shù)及國內(nèi)外差異分析
芯片，是LED的核心部件。目前國內(nèi)外有很多LED芯片廠家，然芯片分類沒有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)，若按功率分類，則有大功率和中小功率之分;若按顏色分類，則主要為紅色、綠色、藍(lán)色三種;若按形狀分類，一般分為方片、圓片兩種;若按電壓分類，則分為低壓直流芯片和高壓直流芯片。國內(nèi)外芯片技術(shù)對比方面，國外芯片技術(shù)新，國內(nèi)芯片重產(chǎn)量不重技術(shù)。
襯底材料和晶圓生長技術(shù)成關(guān)鍵
目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅(Si)、碳化硅(SiC)襯底材料以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點。目前，市面上大多采用藍(lán)寶石或碳化硅襯底來外延生長寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵，這兩種材料價格都非常昂貴，且都為國外大企業(yè)所壟斷，而硅襯底的價格比藍(lán)寶石和碳化硅襯底便宜得多，可制作出尺寸更大的襯底，提高M(jìn)OCVD的利用率，從而提高管芯產(chǎn)率。所以，為突破壁壘，中國研究機(jī)構(gòu)和LED企業(yè)從硅襯底材料著手研究。
但問題是，硅與氮化鎵的高質(zhì)量結(jié)合是LED芯片的技術(shù)難點，兩者的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂紋等技術(shù)問題長期以來阻礙著芯片領(lǐng)域的發(fā)展。無疑，從襯底角度看，主流襯底依然是藍(lán)寶石和碳化硅，但硅已經(jīng)成為芯片領(lǐng)域今后的發(fā)展趨勢。對于價格戰(zhàn)相對嚴(yán)重的中國來說，硅襯底更有成本和價格優(yōu)勢：硅襯底是導(dǎo)電襯底，不但可以減少管芯面積，還可以省去對氮化鎵外延層的干法腐蝕步驟，加之，硅的硬度比藍(lán)寶石和碳化硅低，在加工方面也可以節(jié)省一些成本。
目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍(lán)寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術(shù)，至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計，使用硅襯底制作大尺寸藍(lán)光氮化鎵LED的制造成本將比藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底低90%。
國內(nèi)外芯片技術(shù)差異大
在國外，歐司朗、美國普瑞、日本三墾等企業(yè)已經(jīng)在大尺寸硅襯底氮化鎵基LED研究上取得突破，飛利浦、韓國三星、LG、日本東芝等LED*也掀起了一股硅襯底上氮化鎵基LED的研究熱潮。其中，在2011年，美國普瑞在8英寸硅襯底上研發(fā)出高光效氮化鎵基LED，取得了與藍(lán)寶石及碳化硅襯底上高水平的LED器件性能相媲美的發(fā)光效率160lm/W;在2012年，歐司朗成功生產(chǎn)出6英寸硅襯底氮化鎵基LED。
反觀中國內(nèi)地，LED芯片企業(yè)技術(shù)的突破點主要還是提高產(chǎn)能和大尺寸藍(lán)寶石晶體生長技術(shù)，除了晶能光電在2011年成功實現(xiàn)2英寸硅襯底氮化鎵基大功率LED芯片的量產(chǎn)外，中國芯片企業(yè)在硅襯底氮化鎵基LED研究上無大的突破，目前中國內(nèi)地LED芯片企業(yè)還是主攻產(chǎn)能、藍(lán)寶石襯底材料及晶圓生長技術(shù)，三安光電、德豪潤達(dá)、同方股份等內(nèi)地芯片*也大多在產(chǎn)能上取得突破。