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光催化的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
光催化原理是基于光催化劑在光照的條件下具有的氧化還原能力，從而可以達(dá)到凈化污染物、物質(zhì)合成和轉(zhuǎn)化等目的。通常情況下，光催化氧化反應(yīng)以半導(dǎo)體為催化劑，以光為能量，將有機(jī)物降解為二氧化碳和水。
光催化的原理是利用光來激發(fā)二氧化鈦等化合物半導(dǎo)體，利用它們產(chǎn)生的電子和空穴來參加氧化—還原反應(yīng)。 當(dāng)能量大于或等于能隙的光照射到半導(dǎo)體納米粒子上時(shí)，其價(jià)帶中的電子將被激發(fā)躍遷到導(dǎo)帶，在價(jià)帶上留下相對穩(wěn)定的空穴，從而形成電子—空穴對。由于納米材料中存在大量的缺陷和懸鍵，這些缺陷和懸鍵能俘獲電子或空穴并阻止電子和空穴的重新復(fù)合。這些被俘獲的電子和空穴分別擴(kuò)散到微粒的表面，從而產(chǎn)生了強(qiáng)烈的氧化還原勢。
光催化凈化技術(shù)具有室溫深度氧，二次污染小，運(yùn)行成本低和可望利用太陽光為反應(yīng)光源等優(yōu)點(diǎn)，所以光催化特別合適室內(nèi)揮發(fā)有機(jī)物的凈化，在深度凈化方面顯示出了巨大的應(yīng)用潛力。
限制光催化應(yīng)用的原因：
1.光腐蝕
2.光催化劑本身的吸光率和評價(jià)中使用光源的波長與強(qiáng)度
3.光催化反應(yīng)中電子空穴再結(jié)合的防止
4.氧化反應(yīng)開始后的后續(xù)反應(yīng)難以控制
5.比表面積不足