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當(dāng)前位置：> 供求商機> LFT1400C 800D802Z-ZnO納米材料生長
一、設(shè)備特點
碳納米膜制備設(shè)備由氣體質(zhì)量流量計控制系統(tǒng)、液體注液系統(tǒng)、多段溫度可控多區(qū)生長系統(tǒng)、水冷卻系統(tǒng)、碳納米線或膜收集系統(tǒng)，紅外烘干系統(tǒng)等組成。生長爐的最高溫度1400℃，并可在0-1400℃之間連續(xù)可調(diào)，垂直式分布熱場，三點控溫(三段長度平均分配)，設(shè)備頂部設(shè)有注液口、導(dǎo)流器。爐體采用雙層殼體結(jié)構(gòu)并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)，保溫材料為加厚型，殼體表面溫度小于60℃。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料，加熱元件為優(yōu)質(zhì)硅碳棒。測溫采用適用于高溫環(huán)境的“S"型熱電偶，直接和式樣接觸，以提高控溫的精確性。本款碳納米管或膜CVD設(shè)備可以實現(xiàn)連續(xù)生長不間斷的特點。
二、技術(shù)參數(shù)
型號 | LFT1400C 800D802Z |
額定功率 | 20KW（參考） |
額定電壓 | AC220V 50/60HZ |
最高溫度 | 1400℃ |
額定溫度 | 1300℃ |
推薦升溫速率 | 200℃以下≤5℃/min，200-1400℃以下≤10℃/min，1400℃到1600℃≤5℃/min |
爐管尺寸 （可根據(jù)客戶要求訂制） | Φ80× 1400mm（剛玉管） |
控溫精度 | ±1℃ |
極限真空度（選件） | 1.0×10-3Pa（機械泵+分子泵） |
加熱元件 | 硅碳棒 |
重量 | 230KG（參考） |
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