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  直探頭  直探頭也稱平探頭，可發(fā)射及接受縱波。直探頭主要由壓電晶片、阻尼塊（吸收塊）及保護膜組成。（1）壓電晶片 壓電晶片的厚度與超聲頻率成反比。例如鋯鈦酸鉛（PZT-5）的頻率厚度常數(shù)為1890千赫/毫米，晶片厚度為1毫米時，自然頻率為1.89兆赫，厚度為0.7毫米時，自然頻率約2.5兆赫。電壓晶片的直徑與擴散角成反比。電壓晶片兩面敷有銀層，作為導電的極板，晶片底面接地線，晶片上面接導線引至電路上。（2）保護膜 直探頭為避免晶片與工件直接接觸而磨損晶片，在晶片下粘合一層保護膜，有軟性保護和硬性保護兩種。軟性的可用塑料薄膜（厚約0.3毫米），與表面粗糙的工件接觸較好。硬性可用不銹鋼片或陶瓷片。保護膜的厚度為二分之一波長的整數(shù)倍，聲波穿透率最大。厚度為四分之一波長的奇數(shù)倍時，穿透率最小。晶片與保護膜粘合后，探頭的諧振頻率將降低。保護膜與晶片粘合時，粘合層應盡可能的薄，不得滲入空氣。粘合劑的配方為 618環(huán)氧樹脂：二乙烯三胺：鄰苯二甲酸二丁酯=100：8：10 粘合后加一定的壓力，放置24小時，再在60℃~80℃溫度下烘干4小時。（3）阻尼塊 阻尼塊又名吸收塊，其作用為降低降低晶片的機械品質(zhì)系數(shù)，吸收聲能量。如果沒有阻尼塊，電振蕩脈沖停止時，壓電晶片因慣性作用，仍繼續(xù)振動，加長了超聲波的脈沖寬度，使盲區(qū)增大，分辨力差。吸收塊的聲阻抗等于晶片的聲阻抗時，效果最jia，常用的吸收快配方如下 鎢粉：環(huán)氧樹脂：二乙烯三胺（硬化劑）：鄰苯二甲酸二丁酯（增塑劑）=35克：10克：0.5克：1克 為使晶片和阻尼塊粘合良好，在灌澆前先用丙酮清洗晶片和晶片座表面，并加熱至60℃~80℃再行灌澆。環(huán)氧樹脂和鎢粉應充分混合均勻。灌澆后把探頭傾斜，使阻尼塊上表面傾斜20°左右，這樣可消除聲波在吸收塊上的發(fā)射，使熒光屏上雜波減少。

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