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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
| 背散射電子圖像分辨率 | 4.0nm@30KV | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 二次電子圖象分辨率 | 3.0nm @ 30KV WD 8mmnm | 放大倍數(shù) | ×5~×300,000x |
| 加速電壓 | 0.5KV ~ 30KVkV | 價(jià)格區(qū)間 | 50萬(wàn)-100萬(wàn) |
| 儀器種類 | 熱場(chǎng)發(fā)射 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,地礦,能源,交通,汽車 |
詳細(xì)介紹
二手蔡司電鏡 SEM+EDX+EBSD掃描電鏡(SEM)廣泛地應(yīng)用于(鋼鐵、冶金、有色、機(jī)械加工)和(化學(xué)、化工、石油、地質(zhì)礦物學(xué)、橡膠、紡織、水泥、玻璃纖維)等檢驗(yàn)和研究。在材料科學(xué)研究、金屬材料、陶瓷材料、半導(dǎo)體材料、化學(xué)材料等領(lǐng)域，進(jìn)行材料的微觀形貌、組織、成分分析，各種材料的形貌組織觀察，材料斷口分析和失效分析，材料實(shí)時(shí)微區(qū)成分分析，元素定量、定性成分分析，快速的多元素面掃描和線掃描分布測(cè)量，晶體、晶粒的相鑒定，晶粒尺寸、形狀分析，晶體、晶粒取向測(cè)量。
ZEISS的場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡全部采用新一代鏡筒(GEMINI)設(shè)計(jì)，具有優(yōu)良的高、低加速電壓性能。創(chuàng)新的InLens設(shè)計(jì)是目前世界上真正的內(nèi)置鏡筒電子束光路上二次電子探測(cè)器，具有良好的靈敏度和較高的接收效率，而且只接收來(lái)自樣品表面的二次電子，因此具有業(yè)界較高等級(jí)的分辨率和圖像質(zhì)量。二次電子探測(cè)器和背散射電子探測(cè)器均內(nèi)置于鏡筒電子束光路上，試樣的工作距離不受背散射探測(cè)器的影響，可以非常接近極靴，這樣可以同時(shí)獲得較高的二次電子像分辨率和背散射電子像分辨率，且接收的背散射電子的能量可以控制。ZEISS的場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡創(chuàng)造性的采用電磁、靜電復(fù)合式物鏡，雜散磁場(chǎng)小，可對(duì)鐵磁體樣品進(jìn)行高分辨率成像。
二手蔡司電鏡 SEM+EDX+EBSD技術(shù)參數(shù)
分辨率
1.3nm @ 15KV
2.1nm @ 1 KV
5.0nm @ 0.2KV
2.0nm @ 30KV(VP mode)
放大倍數(shù)： 12 - 900,000x
加速電壓： 0.1 - 30 KV
低壓范圍： 2-133Pa 1Pa步進(jìn)可調(diào)
探針電流： 4 pA - 10 nA (4 pA - 20 nA 可選)
樣品室： 330 mm (?) x 270 mm (h)
樣品臺(tái)： 5軸驅(qū)動(dòng)
X = 130mm
Y = 130 mm
Z = 50mm
傾斜角T = -3 to 70°
R = 360°連續(xù)旋轉(zhuǎn)
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