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更新時(shí)間：2025-03-24 09:52:25
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RTS-4A型全自動(dòng)掃描四探針測(cè)試系統(tǒng)
關(guān)鍵詞：全自動(dòng)四探針，2D,3D，多點(diǎn)掃描, 電阻率, 方塊電阻
可對(duì)樣品進(jìn)行 49 點(diǎn)、81 點(diǎn)、中心 1 點(diǎn)、中心 10 點(diǎn)、中心半徑 5 點(diǎn)、中心邊緣 5 點(diǎn)、中心半徑邊緣 9 點(diǎn)、直徑掃描等測(cè)試；統(tǒng)計(jì)分析測(cè)試數(shù)據(jù)生成 2D 和 3D 的 map 圖； 屏蔽測(cè)試，消除光對(duì)樣品測(cè)試的影響，保證測(cè)量的準(zhǔn)確性；真空吸附防止全自動(dòng)測(cè)試過(guò)程中樣品移動(dòng)對(duì)測(cè)試的影響；
一體化嵌入式設(shè)計(jì)，觸控電腦屏幕操作，手指點(diǎn)點(diǎn)就可以完成操作
PRTS-4A全自動(dòng)掃描四探針測(cè)試系統(tǒng)是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合全自動(dòng)測(cè)量設(shè)備。該設(shè)備按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，專用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專用設(shè)備。通過(guò)全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，對(duì)晶圓片進(jìn)行電阻率和方塊電阻分布的測(cè)量，繪制出等值線圖后，從而直接觀察到整個(gè)晶圓片的電阻率或方塊電阻大小的分布。
PRTS-4A全自動(dòng)掃描四探針測(cè)試系統(tǒng)通過(guò)采用四探針雙位組合測(cè)量技術(shù)，將范德堡測(cè)量方法推廣應(yīng)用到直線四探針上。利用電流探針和電壓探針的組合變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，其最后計(jì)算結(jié)果能自動(dòng)消除由樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素所引起的，對(duì)測(cè)量結(jié)果的不利影響。因而在測(cè)試過(guò)程中，在滿足基本條件下可以不考慮探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置等因素。這種動(dòng)態(tài)地對(duì)以上不利因素的自動(dòng)修正，顯著降低了其對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，從而提高了測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確度。
PRTS-4A全自動(dòng)掃描四探針測(cè)試系統(tǒng)擁有友好操作測(cè)試界面，通過(guò)此測(cè)試程序輔助用戶簡(jiǎn)便地進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試操作，把采集到的測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)學(xué)分析，然后把測(cè)試數(shù)據(jù)以Excel表格，2D、3D等數(shù)值圖直觀地記錄、顯示出來(lái)。方便用戶對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析，用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，
產(chǎn)品應(yīng)用
● 半導(dǎo)體及太陽(yáng)能電池(單晶硅、多晶硅、鈣鈦礦)
● 液晶面板(ITO/AZO)
● 功能材料(熱電材料、碳納米管、石墨烯、銀納米線、導(dǎo)電纖維布)
● 半導(dǎo)體工藝(金屬層/離子注入/擴(kuò)散層)、非晶合金
主要技術(shù)指標(biāo) ：
測(cè)量范圍 | 電阻率：10-5～105 ?.cm； 方塊電阻：10-4～106 ?/□； |
可測(cè)晶片尺寸 | 2 英寸～15 英寸；（太陽(yáng)能電池片≤210mm*210mm） |
恒流源 | 電流量程分為 1µA、10µA、100µA、1mA、10mA、100mA 六檔。 |
采樣電壓范圍 | 量程：000.00～199.99mV；（低阻擴(kuò)展時(shí)，量程：00.000～19.999mV） 分辨力：10μV；（低阻擴(kuò)展時(shí)，分辨力：1μV）輸入阻抗：＞1000MΩ；精度：±0.1%； |
四探針探頭基本指標(biāo) | 間距：1±0.01mm；針間絕緣電阻：≥1000M?； 機(jī)械游移率：≤0.3％； 探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓(總力)； |
模擬電阻測(cè)量相對(duì) | 0.01?、0.1?、1?、10?、100?、1000?、10000?≤0.2％ |
整機(jī)測(cè)量最大相對(duì) | （用硅標(biāo)樣片:0.003-500Ω.cm 測(cè)試）≤±3%（23℃） |
重復(fù)性 | ≤±0.5% |
最小去邊距離 | 3mm |
自動(dòng)測(cè)試選點(diǎn)方式 | 49 點(diǎn)、81 點(diǎn)、中心 1 點(diǎn)、中心 10 點(diǎn)、中心半徑 5 點(diǎn)、中心邊緣 5 點(diǎn)、中心半徑邊緣 9 點(diǎn)、直徑掃描。 |
測(cè)試數(shù)據(jù)處理 | 以Excel格式文件表格記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，并生成2D、3D的 map 圖。用戶可對(duì)采集的數(shù)據(jù)在 Excel 中進(jìn)行進(jìn)一步的各種數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析。 |
屏蔽和吸附測(cè)試 | 對(duì)樣品進(jìn)行屏蔽和真空吸附測(cè)試，消除光和全自動(dòng)測(cè)試過(guò)程中樣品移動(dòng)對(duì)樣品測(cè)試的影響，保證測(cè)量的準(zhǔn)確性。 |
外形尺寸 | 550mm×455mm×400mm（深×寬×高） |
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 | 溫度：23±2℃； 相對(duì)濕度：≤65％；無(wú)高頻干擾； |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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