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北京賽凡光電儀器有限公司>>光譜測(cè)試技術(shù)>> ES03快速攝譜式 多入射角光譜橢偏儀

快速攝譜式 多入射角光譜橢偏儀

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  • 型號(hào) ES03
  • 品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
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更新時(shí)間:2015-12-25 12:54:33瀏覽次數(shù):769

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快速攝譜式 多入射角光譜橢偏儀是針對(duì)科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測(cè)量推出的高精度多入射角光譜橢偏儀,儀器波長(zhǎng)范圍從紫外到近紅外。

詳細(xì)介紹

ES03是針對(duì)科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測(cè)量推出的高精度多入射角光譜橢偏儀,儀器波長(zhǎng)范圍從紫外到近紅外。

ES03多入射角光譜橢偏儀用于測(cè)量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)(如,厚度)和物理參數(shù)(如,折射率n、消光系數(shù)k),也可用于測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。

 ES03系列適合于對(duì)樣品進(jìn)行實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)的檢測(cè)。

特點(diǎn):

  • 原子層量級(jí)的檢測(cè)靈敏度

    *的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量原子層量級(jí)的納米薄膜,膜厚精度達(dá)到0.05nm。

  • 秒級(jí)的快速測(cè)量

    快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號(hào)探測(cè)、自動(dòng)化的測(cè)量軟件,在保證高精度和準(zhǔn)確度的同時(shí),10秒內(nèi)快速完成一次全光譜橢偏測(cè)量。

  • 膜厚測(cè)量范圍大

    膜厚范圍從次納米量級(jí)到10微米左右。

  • 一鍵式儀器操作

    對(duì)于常規(guī)操作,只需鼠標(biāo)點(diǎn)擊一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的測(cè)量、建模、擬合和分析過(guò)程,豐富的模型庫(kù)和材料庫(kù)也同時(shí)方便了用戶的高級(jí)操作需求。

應(yīng)用:

ES03適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。

ES03系列多種光譜范圍可滿足不同應(yīng)用場(chǎng)合。比如:

  • ES03V適合于測(cè)量電介質(zhì)材料、無(wú)定形半導(dǎo)體、聚合物等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測(cè)。
  • ES03U適合于很大范圍的材料種類,包括對(duì)介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測(cè),光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體的臨界點(diǎn),這對(duì)于測(cè)量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級(jí)到10微米左右)。

ES03可用于測(cè)量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括:微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。

典型應(yīng)用如:

  • 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等;
  • 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等;
  • 生物和化學(xué)工程:有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等

ES03也可用于測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括:固體(金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等),或液體(純凈物或混合物)。典型應(yīng)用包括:

  • 玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。

技術(shù)指標(biāo):

項(xiàng)目

技術(shù)指標(biāo)

光譜范圍

ES03V:370-1000nm

ES03U:245-1000nm

光譜分辨率

1.5nm

單次測(cè)量時(shí)間

典型10s,取決于測(cè)量模式

準(zhǔn)確度

δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° 

(透射模式測(cè)空氣時(shí))

膜厚測(cè)量重復(fù)性(1)

0.05nm (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)

折射率測(cè)量重復(fù)性(1)

1x10-3 (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)

入射角度

40°-90°手動(dòng)調(diào)節(jié),步距5°,重復(fù)性0.02°

光學(xué)結(jié)構(gòu)

PSCA(Δ在0°或180°附近時(shí)也具有*的準(zhǔn)確度)

樣品臺(tái)尺寸

可放置樣品尺寸:直徑170 mm

樣品方位調(diào)整

高度調(diào)節(jié)范圍:0-10mm

二維俯仰調(diào)節(jié):±4°

樣品對(duì)準(zhǔn)

光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)

軟件

•多語(yǔ)言界面切換

•預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用

•安全的權(quán)限管理模式(管理員、操作員)

•方便的材料數(shù)據(jù)庫(kù)以及多種色散模型庫(kù)

•豐富的模型數(shù)據(jù)庫(kù)

選配件

自動(dòng)掃描樣品臺(tái)

聚焦透鏡

   注:(1)測(cè)量重復(fù)性:是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測(cè)量30次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。

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