（1）氧化層的成長速率不是一直維持恒定的趨勢，制程時(shí)間與成長厚度之重復(fù)性是較為重要之考量。

（2）后長的氧化層會(huì)穿透先前長的氧化層而堆積于上；換言之，氧化所需之氧或水汽，勢必也要穿透先前成長的氧化層到硅質(zhì)層。故要生長更厚的氧化層，遇到的阻礙也越大。 

（3）干氧層主要用于制作金氧半（MOS）晶體管的載子信道（channel）；而濕氧層則用于其它較不嚴(yán)格講究的電性阻絕或制程罩幕（masking）。前者厚度遠(yuǎn)小于后者，1000~1500埃已然足夠。

（4）對不同晶面走向的晶圓而言，氧化速率有異：通常在相同成長溫度、條件、及時(shí)間下，{111}厚度≧{110}厚度＞{100}厚度。

（5）導(dǎo)電性佳的硅晶氧化速率較快。

（6）適度加入氯化氫（HCl）氧化層質(zhì)地較佳；但因容易腐蝕管路，已漸少用。

（7）氧化層厚度的量測，可分破壞性與非破壞性兩類。前者是在光阻定義阻絕下，泡入緩沖過的BOE，BufferedOxideEtch，系HF與NH4F以1：6的比例混合而成的腐蝕劑）將顯露出來的氧化層去除，露出不沾水的硅晶表面，然后去掉光阻，利用表面深淺量測儀（surfaceprofileroralphastep），得到有無氧化層之高度差，即其厚度。