大直徑晶片的清洗采用上述方法不好保證其清洗過程的完成，通常采用單晶片清洗法，如下圖所示，其清洗過程是在室溫下重復利用DI-O 3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3 ）產生氧化硅，稀釋的HF蝕刻氧化硅，同時清除顆粒和金屬污染物。根據蝕刻和氧化的要求采用較短的噴淋時間就可獲得好的清洗效果，不會發(fā)生交叉污染。后沖洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。為了避免水漬，采用濃縮大量氮氣的異丙基乙醇（IPA）進行干燥處理。單晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗過程中通過采用DI水及HF的再循環(huán)利用，降低化學品的消耗量，提高晶片成本效益。