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詳細摘要：材料高頻介電常數(shù)測定儀 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：材料介電常數(shù)介質損耗測試儀各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：高頻材料介電常數(shù)介質損耗測試儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)損耗因數(shù)試驗儀系統(tǒng)由BH916測試裝置（夾具）、GDAT型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入GDAT）、及LKI-1型電感器組成，它依據(jù)國標GB/T 1409-2006、美標ASTM D150以及電工委員會IEC60250的規(guī)定設計制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）自動測量的Z佳解決方案。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：13 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)與介質損耗測定儀工作特性 1．Q值測量 a．Q值測量范圍：2～1023； b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔； c．標稱誤差 頻率范圍25kHz～10MHz100kHz～10MHz 固有誤差≤5％±滿度值的2%≤5％±滿度值的2% 工作誤差≤7％±滿度值的2%≤7％±滿度值的2% 頻率范圍10MHz～60MHz 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介質損耗介電常數(shù)試驗儀例如：在1MHz測試頻率時，要配250μH電感器，在50MHz測試頻率時，要配0.1μH電感器等。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質損耗測試儀裝置： 2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質損耗因數(shù)測定儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)測試儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：北廣部分產(chǎn)品一覽表 產(chǎn)品名稱產(chǎn)品型號備注 電壓擊穿試驗儀BDJC-10-100KV計算機控制/自動 體積表面電阻率測試儀BEST-121液晶顯示 滑動摩擦磨損試驗機M-200橡膠塑料，復合材料 萬能拉力試驗機WDW金屬，非金屬材料 介電常數(shù)介質損耗測試儀GDAT-A固體液體材料 熱變形維卡溫度儀BWK-300計算機/液晶 塑料球壓痕硬度計BQY-96液晶 熔體流動 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)測試儀/介質損耗因數(shù)和電容率測試儀的詳細描述： 電： / 介電常數(shù)介質損耗試驗儀滿足標準：GBT1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法 概述 A型高頻Q表和C型高頻Q表主要區(qū)別 AC 測試頻率范圍25kHz～60MHz100kHz～160MHz 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：◇主要特點：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品（ 小于 10 mil） 量測值偏低,。 ◇主要技術特性：介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質損耗測試儀電感器： 按測試頻率要求，需要配置不同量的電感器。 例如：在1MHz測試頻率時，要配250µH電感器，在50MHz測試頻率時，要配0.1µH電感器等。 介電常數(shù)介質損耗因數(shù)試驗儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：固體材料介電常數(shù)介質損耗測試儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：材料介電常數(shù)測定儀 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：工作特性 1．Q值測量 a．Q值測量范圍：2～1023； b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔； c．標稱誤差 AC 頻率范圍25kHz～10MHz100kHz～10MHz 固有誤差≤5％±滿度值的2%≤5％±滿度值的2% 工作誤差≤7％±滿度值的2%≤7％±滿度值的2% 頻率范圍10MHz～60MHz10MHz～160MHz 固 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質損耗測試儀特點： ◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。 ◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。 ◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。 ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測試頻率，調諧狀態(tài)等。 ◎ Q值量程自 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質損耗測試儀主要技術指標： 2.1 tanδ和ε性能： 2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。 2.1.2 tanδ和ε測量范圍： tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50 2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）： tanδ：±5%±0.00005，ε：±2% 工作頻率范圍：50kHz～50MHz 四位數(shù)顯，壓控振蕩器 Q值 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質損耗測試儀電感器： 按測試頻率要求，需要配置不同量的電感器。 例如：在1MHz測試頻率時，要配250µH電感器，在50MHz測試頻率時，要配0.1µH電感器等。 高頻介質樣品（選購件）： 在現(xiàn)行高頻介質材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質樣品。 該樣品由人工藍寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：儀器滿足標準GB/T 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法。適用于測定熱塑性、熱固性塑料在1MHz條件下的電容率和介質損耗因數(shù)。 2.高頻電容率和介質損耗因數(shù)測試系統(tǒng)構成 2.1.概述：高頻電容率和介質損耗因數(shù)測試系統(tǒng)由S916測試裝置（夾具）、GDAT型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入GDAT)、及LKI-1型電 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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北京北廣精儀儀器設備有限公司主營產(chǎn)品：絕緣強度耐電壓擊穿試驗儀-高壓電橋法介電常數(shù)測試儀-高電壓擊穿強度試驗儀
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