一、概述

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

二、測(cè)試原理

GDAT-A高頻絕緣材料介電常數(shù)測(cè)試儀采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至ZUI低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。

三、滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

儀器組成：

GDAT-A高頻絕緣材料介電常數(shù)測(cè)試儀由S916測(cè)試裝置（夾具）、高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入Q表中的軟件模塊)、及LKI-1型電感器組成。依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美標(biāo)ASTM D150以及國(guó)際電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動(dòng)測(cè)量的最佳解決方案。本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。通過(guò)數(shù)字Q表具有自動(dòng)計(jì)算介電常數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗（tanδ）。

主機(jī)Q表技術(shù)參數(shù)：

測(cè)試裝置（夾具）技術(shù)參數(shù)：

本測(cè)試裝置是由二只測(cè)微電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾持被測(cè)樣品，園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線(xiàn)性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時(shí)，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。

測(cè)試裝置規(guī)格：

固體：材料測(cè)量直徑 Φ50mm/Φ38mm 可選；厚度可調(diào) ≥ 15mm （二選一）  

液體：測(cè)量極片直徑 Φ38mm； 液體杯內(nèi)徑Φ48mm 、深7mm（選配）

LKI-1電感組技術(shù)參數(shù)