當前位置：北京百萬電子科技中心> 供求商機> JC503-LT-100C-數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 少子壽命測試儀
JC503-LT-100C--數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 少子壽命測試儀詳細介紹
為解決太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。
該設備是按照國家標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次全國十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便。
JC503-LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點：
1、 可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。
2、 可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。
3、配備軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態(tài)光電導衰退波形，并可聯(lián)用打印機及計算機。
4、配置兩種波長的紅外光源：
a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。
b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能級硅晶體。
5、測量范圍寬廣
測試儀可直接測量：
a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。
b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內的硅單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測范圍 0.25μS—10ms
溫馨提示：
時請牢記該產品的型號或編號，以便我們迅速的為您提供該產品的相關服務
:
傳真:
:
Q Q:2637757039
網(wǎng) 址: www.bw178。。ｃｏｍ
電子郵件:819230181
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業(yè)自行提供，信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業(yè)負責，化工儀器網(wǎng)對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示：為規(guī)避購買風險，建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。
