霍爾效應的測量是研究半導體性質的重要實驗方法。利用霍爾系數(shù)和電導率的聯(lián)合測量，可以用來確定半導體的導電類型和 載流子濃度。通過測量霍爾系數(shù)與電導率隨溫度的變化，可以確定半導體的禁帶寬度、雜質電離能及遷移率的溫度系數(shù)等基本參數(shù)。本儀器采用現(xiàn)代電子技術和計算機數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，對霍爾樣品在弱場條件下進行變溫霍爾系數(shù)和電導率的測量，來確定半導體材料的各種性質。