激光干涉光刻機

激光干涉光刻機

 HIL系列激光干涉納米光刻機具有突破性的強大功能，只需 要單次曝光即可在幾分鐘內制備大面積周期性納米結構。其 最小特征尺寸可以低于50納米。該系統是制作高品質、晶圓 級的納米壓印模板和納米結構器件的理想選擇。

最小線寬低于50納米

多種一維/二維納米圖案

單次曝光實現晶圓級納米結構

HIL 1000納米光刻系統非常適用于高質量晶圓級納米壓印模板的制作，能滿 足各種研發(fā)和量產的需求。同時，該系統在基于大面積納米結構的器件設計開 發(fā)，尤其是在設計參數到試產驗證的快速迭代環(huán)節(jié)中能發(fā)揮巨大的作用。

可選配特征尺寸調制模塊：對特征尺寸進行可定制化的空間調制，可用于提 高結構尺寸均勻性或根據設計要求調節(jié)尺寸變化。

圓晶級曝光 標準配置的 HIL 1000 系統可以通過一次曝光實現在 3 英寸晶圓上 制造均勻的周期性納米結構。通過選配升級，增加特征尺寸調制模 塊還可以將曝光區(qū)域的最大面積擴展到 4 英寸，同時具備更好的線 寬均勻性。

高分辨率納米圖案 HIL 1000 系統能制備特征尺寸低于 50 nm 的納米結構。其加工出 的超高深寬比的光刻膠矩形截面非常有助于后續(xù)的刻蝕和沉積等加 工工藝。

快速光路重構 HIL 1000 系統配備的快速光路重構模塊和高精度工件臺有助于制 造具有不同周期和幾何形狀的納米圖案，包括一維線柵和納米點、 孔、棒、棋盤格等二維陣列。

特征尺寸調制 HIL 1000 系統可以選配特征尺寸調制模塊。該模塊通過精密調制 納米結構的占空比，可提高單次曝光區(qū)域內的納米圖案均勻性，擴 大單次曝光的區(qū)域，同時也可用于實現特定設計的特征尺寸的晶圓 級空間調制。

激光干涉光刻（也稱全息光刻）是一種無需掩膜的光刻技術， 可以實現以高通量的方式大面積制造周期性納米結構。 在傳 統的干涉光刻系統的配置中，相干光源通常被分成兩個子光 束，并以一定角度形成干涉條紋，通過投射到涂有光刻膠的 晶圓表面來制造周期性納米結構。干涉圖案的周期可由公式  ?=λ/2sinθ 推算，其中 λ 是光源的波長，θ 是兩個子光束形 成的夾角的一半。