IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀SC5016

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀SC5016可用于多種封裝形式的大功率二極管 、大功率IGBT模塊、大功率雙極型晶體管，大功率MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，也可用于中小功率單管測(cè)試，幾乎可以測(cè)試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，還可用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，方便操作使用。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、產(chǎn)品型號(hào)及名稱：SC5016  IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

2、產(chǎn)品測(cè)試電流電壓為1200A,±5000V,向下兼容

3、VGE達(dá)±100V；開(kāi)啟電壓VGETH支持兩種測(cè)試方法；

4、采用插槽式設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，便于升級(jí)和維護(hù)；

5、設(shè)備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測(cè)試，晶閘管測(cè)試，

6、自動(dòng)進(jìn)行分檔測(cè)試，既覆蓋大功率特征下的測(cè)試范圍，又可保證小功率器件測(cè)試精度

7、支持單點(diǎn)測(cè)試，I-V曲線掃描，還具有曲線對(duì)比功能；

8、測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel文件，WORD報(bào)告

9、安全性，防爆，防觸電，短路保護(hù)等多重保護(hù)措施，確保操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全。

產(chǎn)品指標(biāo)：

1) 測(cè)試電壓范圍：0-±5000V

2) 測(cè)試電流范圍：0-±1600A

3) 測(cè)試柵極電壓范圍：0-±100V

4) 電壓分辨率：1mV

5) 電流分辨率：1nA

6) 恒流脈沖寬度：50~300uS

7) 工作頻率：0.1~10Hz

8) 電源輸入電壓：220VAC

測(cè)試參數(shù)：

（1）Diode（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

靜態(tài)參數(shù)：BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降；

（2）MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

靜態(tài)參數(shù)：BVDSS/漏源極擊穿電壓，VGS(th)/柵極開(kāi)啟電壓，IDSS/漏源極漏電流，VF/二極管正向壓降；Rdson/導(dǎo)通內(nèi)阻

（3）IGBT單管及模塊（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

靜態(tài)參數(shù)：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開(kāi)啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降；VCESAT/飽和壓降，IGESR,IGESF/柵極漏電流

說(shuō)明：整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。

應(yīng)用領(lǐng)域：

新能源、光伏、風(fēng)電、軌交、變頻器