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EIS-200ERP 離子束刻蝕機(jī)

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半導(dǎo)體前道刻蝕

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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。

公司目前已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng),軟件著作權(quán) 14 項(xiàng),是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。










冷熱臺(tái),快速退火爐,光刻機(jī),納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

1 產(chǎn)品概述:

   離子束刻蝕設(shè)備是一種高精度的材料加工設(shè)備,它利用經(jīng)過電場(chǎng)加速的高能離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行物理轟擊,從而實(shí)現(xiàn)材料的精細(xì)刻蝕。這種設(shè)備廣泛應(yīng)用于物理學(xué)、工程與技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科、測(cè)繪科學(xué)技術(shù)、航空、航天科學(xué)技術(shù)等多個(gè)領(lǐng)域,成為現(xiàn)代微納米加工技術(shù)中的重要工具。

2 設(shè)備用途:

  1. 材料加工:離子束刻蝕設(shè)備可以對(duì)多種材料進(jìn)行精細(xì)加工,包括硅、石英、半導(dǎo)體、金屬、非金屬硬質(zhì)薄膜等。通過控制離子束的能量、束流密度和刻蝕時(shí)間等參數(shù),可以精確控制刻蝕深度和形貌,實(shí)現(xiàn)微米甚至納米量級(jí)的加工精度。

  2. 微結(jié)構(gòu)制作:該設(shè)備具有制作微結(jié)構(gòu)圖形的能力,如光柵、微透鏡陣列等。在光學(xué)、電子學(xué)等領(lǐng)域中,這些微結(jié)構(gòu)對(duì)于提高器件性能具有關(guān)鍵作用。

  3. 樣品表面處理:離子束刻蝕還可以用于清洗材料表面有機(jī)物、氧化物等污染物,提升材料表面的親水性、粘接力和附著力。這對(duì)于提高樣品的質(zhì)量和分析精度具有重要意義。

3 設(shè)備特點(diǎn)

  高精度:離子束刻蝕設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的材料加工和微結(jié)構(gòu)制作。通過精確控制離子束的參數(shù),可以實(shí)現(xiàn)微米甚至納米量級(jí)的加工精度。

  多材料適應(yīng)性:該設(shè)備可以處理多種材料,包括硅、石英、半導(dǎo)體、金屬、非金屬硬質(zhì)薄膜等。這種廣泛的材料適應(yīng)性使得離子束刻蝕設(shè)備在多個(gè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。

  高靈活性:離子束刻蝕設(shè)備通常配備有先進(jìn)的控制系統(tǒng)和樣品臺(tái),可以實(shí)現(xiàn)多種加工模式和工藝參數(shù)的靈活調(diào)整。這為用戶提供了更多的選擇和便利。

  高穩(wěn)定性:設(shè)備在長時(shí)間運(yùn)行過程中能夠保持較高的穩(wěn)定性和可靠性。這有助于確保加工質(zhì)量和生產(chǎn)效率的穩(wěn)定。
4
技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):

離子槍

ECR型離子槍

電離氣體

ArXe等、惰性離子種類的氣體 

N2O2、C3F8等、活性離子種類的氣體

加速電壓

100 ~ 3000 V 連續(xù)可變

離子流密度

Ar: 1.5 mA/cm2 以上 (2kV加速時(shí))

O2: 2.0 mA/cm2 以上 (2kV加速時(shí))

離子束有效直徑

Φ 20 mm (FWHM 35 mm)

離子流穩(wěn)定性

±5 / 2 H

大試樣尺寸

Φ 4英寸


相關(guān)分類

干法清洗設(shè)備


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