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Plasmalab 133 牛津儀器 RIE 半導(dǎo)體刻蝕機(jī)
- 公司名稱(chēng) 艾博納微納米科技（江蘇）有限責(zé)任公司
- 品牌 ABNER/艾博納
- 型號(hào) Plasmalab 133
- 產(chǎn)地 江蘇省淮安市清江浦區(qū)清浦工業(yè)園枚皋路7號(hào)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/1/16 16:59:15
- 訪問(wèn)次數(shù) 507
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牛津儀器 RIE 半導(dǎo)體刻蝕機(jī) Plasmalab 133。刻蝕是半導(dǎo)體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導(dǎo)體器件的整個(gè)制造過(guò)程中，刻蝕步驟多達(dá)上百個(gè)，是半導(dǎo)體制造中常見(jiàn)的工藝之一。本設(shè)備支持的晶圓尺寸最大為300mm（330mm基臺(tái)）RIE設(shè)置為GaN刻蝕射頻功率：600W，13.56MHz水冷電極：10C-80C終點(diǎn)檢測(cè)：Verity光發(fā)射光譜（200-800nm）帶8條氣體管線(xiàn)的氣體艙，包括以下7個(gè)質(zhì)量流量控制器（MFCs）：Ar：100sccmCl2：100sccmBCl3：100sccmN2O：200sccmCHF3：200sccmNH3：100sccmCH4：50sccm
射頻功率：600W，13.56MHz
水冷電極：10C-80C
終點(diǎn)檢測(cè)：Verity光發(fā)射光譜（200-800nm）
帶8條氣體管線(xiàn)的氣體艙，包括以下7個(gè)質(zhì)量流量控制器（MFCs）：
Ar：100sccm
Cl2：100sccm
BCl3：100sccm
N2O：200sccm
CHF3：200sccm
NH3：100sccm
CH4：50sccm
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