1. 產(chǎn)品概述：

RIE-1C 是用于半導(dǎo)體芯片故障分析的小型臺(tái)式干式蝕刻系統(tǒng)，可高效、低損傷地去除鈍化膜，操作簡(jiǎn)便，放置樣品后只需按一下按鈕即可完成整個(gè)過(guò)程，既可以放在桌面上，也可以選擇使用支架。

2. 設(shè)備應(yīng)用：

· 半導(dǎo)體芯片的故障分析。

· 去除各種類(lèi)型的鈍化膜，如氮化硅、二氧化硅和氧氮化硅等。

· 光阻劑灰化。

· 各種硅薄膜的蝕刻，包括硅、多晶硅等。

· 玻璃基板的表面處理等。

3. 設(shè)備特點(diǎn)：

· 操作簡(jiǎn)單：一鍵式操作，完成設(shè)備操作流程簡(jiǎn)單便捷，方便用戶使用。

· 設(shè)計(jì)緊湊：節(jié)省空間，可放置在桌面或通過(guò)支架放置，適合空間有限的實(shí)驗(yàn)室或工作場(chǎng)所。

· 可處理多種材料：能應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的多種材料的蝕刻需求。

4. 產(chǎn)品參數(shù)：

· 反應(yīng)室：石英材質(zhì)，尺寸為 212mm。

· 下電極：鋁材質(zhì)，直徑 120mm，具備水冷功能。

· 射頻功率：13.56MHz，200W 晶振頻率，手動(dòng)匹配。

· 進(jìn)氣管：兩條。

· 壓力測(cè)量：隔膜表（0-2.66×102Pa）。

· 真空系統(tǒng)：干泵（500L/min）。

· 尺寸：主機(jī)（寬 400mm× 深 440mm× 高 325mm）；支架（寬 400mm× 深 620mm× 高 798mm）。