過程控制和隔離

真空和氣體流的高精度控制和隔離在半導體制造中是至關重要的。在上游和下游過程中，所有的閥門功能必須保證在大量的循環(huán)中具有精確的重復性。其結果是：在規(guī)定的時間間隔內精確的體積流量和一致的、可靠的密封。VAT控制和隔離閥在此設定了標準。

用于半導體制造的控制和隔離的VAT真空閥組合總是根據(jù)特殊的要求而定制方案。根據(jù)不同的要求和應用領域，各個系列的性能參數(shù)和使用的閥門技術總是適應每個案例中客戶的具體需求。其主要特點包括，可適應的打開和關閉周期，穩(wěn)定的自適應密封，優(yōu)良的控制器技術，可實現(xiàn)高精度的控制，防止顆粒的激活和釋放，以及高制造質量，保證所制造的每個閥門都有確定的、穩(wěn)定的性能參數(shù)。要了解更多關于VAT真空閥解決方案如何解決控制和隔離方面的挑戰(zhàn)，請從下面列出的系列中選擇。

vatvalve超高真空閥f閥門12136-JA03

2.1 全真空閘閥關鍵特點

特點:

設計可靠、成熟

避免產(chǎn)生顆粒的 VATLOCK 技術

機械鎖定在關閉位置

優(yōu)勢:

性能可靠

分體式設計，易于清潔

購置成本低

技術數(shù)據(jù)

尺寸  DN 63 – 320 mm (2?" – 12")

驅動器氣動 雙作用

手動 帶推桿

閥體材料  鋁

進給機構  軸進給機構

標準法蘭  ISO-F, JIS

泄漏率閥體 < 1 × 10-9 mbar ls-1

閥座 < 1 × 10-9 mbar ls-1

壓力范圍  1 × 10-10 mbar to 1.6 bar (絕對壓強) (DN 63 – 200)

1 × 10-10 mbar to 1.2 bar (絕對壓強) (DN 250 – 320)

閥板可承受壓差閥板 ≤ 1.6 bar (DN 63 – 200)

≤ 1.2 bar (DN 250 – 320)

打開時 ≤ 30 mbar

維護前開關次數(shù)  20萬次 (DN 63 – 100)

10萬次 (DN 160 – 320)

溫度閥體 ≤ 120 °C

手動和氣動驅動器 ≤ 80 °C

電磁閥 ≤ 50 °C

位置指示器 ≤ 80 °C

加熱和冷卻速率  ≤ 30 °C h-1

材質閥體 EN AW-5083 (3.3547,

EN AW-6061 (3.3211) (DN 63 – 100)

EN AC-42100 (3.2371) (DN 160 – 320)

機構 AISI 304 (1.4301) (DN 63 – 100)

EN AW-6082 (3.2315) (DN 160 – 320)

密封閥帽、閥板 氟橡膠（例如 Viton®）

安裝位置  任何位置

電磁閥  24 VDC，5.4 W（可根據(jù)要求提供其他值）

位置指示器：觸點額定值電壓 ≤ 250 VAC ≤ 50 VDC

電流 ≤ 2 A ≤ 1.2 A

閥門位置指示  視覺（機械）

10.8

1 × 10-10mbar 至 1.2 bar (abs)

超高真空閘閥

超高真空隔離的標準

12.1

1 × 10-7mbar 至 1.6 bar (abs)

全真空閘閥

真空隔離標準

26.4

1 × 10-8mbar 至 2 bar (abs)

高真空角閥

出色的可靠性

61.3

1 × 10-8mbar 至 1.2 bar (abs)

蝶形控制閥

快速且精準的下游壓力控制

61.6

1 × 10-8mbar 至 1.2 bar (abs)

高真空蝶形控制和隔離閥

快速且精準的下游壓力控制和隔離

62.0

1 × 10-8mbar 至 1.4 bar (abs)

角控制閥

高壓高溫解決方案

64.2

DN 100 - 400

高真空控制閘閥

適用于高循環(huán)真空控制和隔離

64.8

1 × 10-10mbar 至 1.6 bar (abs)

超高真空控制閘閥

適用于標準真空控制和隔離

65.3

1 × 10-8mbar 至 1 bar (abs)

控壓擺閥

可優(yōu)化半導體與顯示器系統(tǒng)中的下游壓力控制和隔離

65.5

1 × 10-6mbar 至 1.2 bar (abs)

高真空控制擺閥

高過程壓力、低流量腐蝕性蝕刻應用的理想之選

67.0

1 × 10-6mbar 至 1.2 bar (abs)

對稱控制閥

流量優(yōu)化壓力控制

95.3

DN 25 –DN 50

高真空控制和隔離閥組合單元

體積小巧，性能出眾