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剝離成形電子束設備

具體成交價以合同協(xié)議為準

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北京瑞科中儀科技有限公司專注半導體材料研究分析設備的研發(fā)和應用。專業(yè)的團隊,專精的服務,提供理想的解決方案。

我們長期專注于半導體材料研究與分析設備的經銷和代理,為高校、企業(yè)科研工作者提供專業(yè)的分析解決方案。以專業(yè)技能為導向,用科技來解決用戶在科研中遇到的難題。專業(yè)的技術工程師和科研工作者進行現(xiàn)場演示和技術交流,打消顧慮,彼此協(xié)作,為我國的科研領域譜寫新篇章。

北京瑞科中儀科技有限公司長期代理銷售供應多種分子材料的研究分析設備,其中包括但不限于掃描電子顯微鏡、感應耦合等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)、離子束刻蝕機、等離子清洗機、物理氣相沉積系統(tǒng)以及各品牌的光學顯微鏡以及實驗室設備儀器。

客戶至上的服務理念,以人為本的企業(yè)文化,我們始終為用戶提供專業(yè)的服務!

合作丨共贏,選擇我們,選擇未來!

 

半導體材料分析,材料刻蝕

應用領域 環(huán)保,化工,電子/電池

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剝離成形電子束設備介紹:

對於有些金屬,我們很難使用蝕刻(Etching)方式來完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時,就可以採用 Lift-Off製程來做出想要的金屬圖案。在此過程中,電子束蒸發(fā)於在基板表面上沉積所需的薄膜層於犧牲層與基材上,最終在洗去其犧牲層,以得到其電路圖案。由於SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制蒸發(fā)速度,因此薄膜厚度和均勻度皆小於+/- 3%。

? 針對Lift-Off製程設計載臺水冷或液態(tài)氮冷卻。

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1.準備基板。
2.犧牲薄膜層的沉積。
3.對犧牲層進行圖案化(例如蝕刻),以形成反向圖案。
4.沉積目標材料。
5.洗去犧牲層以及目標材料的表面。
6.最終圖案層:
①基材
②犧牲層
③目標材料

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剝離成形電子束設備參數(shù):

應用領域腔體
  • Lift-Off製程。


  • 客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸

    和其應用。

  • 腔體最高可至650 mm。

  • 腔體的極限真空度約為10-8 Torr。

配置和優(yōu)點選件
  • 客製化的基板尺寸,最大直徑可達

    12寸晶圓。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3%。

  • 水冷坩堝的多組坩鍋旋轉電子束源(1/2/4/6坩堝)。

  • 自動鍍膜系統(tǒng)。

  • 具有順序操作或共沉積的多個電子束源。

  • 基板具有冷卻(液態(tài)氮溫度低至-70°C)功能。

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套

    箱整合在一起。






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